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| 作者 | Jinpeng Wu · Jianhong Pan · Chunpin Ren · Jiapeng Liu · Biao Zhao · Zhanqing Yu · Rong Zeng |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | IGCT 开通过程 电压平台 di/dt 电力电子 半导体器件 开关特性 |
语言:
中文摘要
高压集成门极换流晶闸管(IGCT)是混合线路换相变换器中防止换相失败的关键器件。本文针对其在kA/μs级高电流上升率(di/dt)下开通时出现的电压平台现象,深入分析了其微观物理机制及潜在的可靠性风险。
English Abstract
The high-voltage integrated gate commutated thyristor (IGCT, reverse-blocking type) is a suitable device for hybrid line-commutated converters to resist commutation failures. During the turn-on process, a voltage plateau is observed under a high the current rise rate di/dt up to kA/μs. In order to decipher the mechanism and the potential risk of this phenomenon, this article focuses on the micropr...
S
SunView 深度解读
IGCT作为高压大功率电力电子器件,主要应用于超高压直流输电或特大功率工业变流领域。虽然阳光电源目前的核心产品线(如组串式/集中式逆变器、PowerTitan储能系统)主要基于IGBT或SiC功率模块,但该研究揭示的高di/dt下的动态电压特性与器件可靠性分析方法,对公司在研发更高功率密度、更高电压等级的电力转换设备(如构网型储能变流器或未来特高压并网设备)时,优化驱动电路设计、提升功率模块的瞬态耐受能力具有重要的参考价值。建议研发团队关注此类高压器件的动态特性建模,以提升系统在极端工况下的鲁棒性。