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非穿通型平面IGBT芯片在宽电压范围内PETT振荡的解析公式
An Analytical Formula for the PETT Oscillation Over a Wide Voltage Range in NPT Planar IGBT Chips
| 作者 | Zhonghao Dongye · Jiayu Fan · Yu Xiao · Tianchen Li · Lei Qi · Dongsheng Yang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | PETT振荡 NPT平面型IGBT 负电阻 电磁干扰 解析模型 电力电子 |
语言:
中文摘要
等离子体提取渡越时间（PETT）振荡属于负阻振荡，其特性随运行条件变化显著，并直接影响IGBT的电磁干扰（EMI）水平。本文针对非穿通型（NPT）平面IGBT，建立了一个适用于宽电压范围的时域PETT振荡解析模型，为功率器件的电磁兼容性设计提供了理论支撑。
English Abstract
Plasma extraction transit time (PETT) oscillation belongs to the negative resistance oscillation, whose features vary greatly with operation conditions. Besides, these oscillation features determine PETT's electromagnetic interference emission level. Therefore, establishing an oscillation model is complex but necessary, especially for the time-domain model over a wide voltage range. This article p...
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SunView 深度解读
该研究对阳光电源的核心产品线（如集中式光伏逆变器、大功率储能变流器PowerTitan及风电变流器）具有重要参考价值。这些产品广泛使用高压IGBT模块，PETT振荡引起的电磁干扰是导致EMI测试不合格及驱动电路误触发的常见原因。通过该解析模型，研发团队可在设计阶段更精准地预测IGBT在宽电压工况下的振荡行为，优化驱动电路参数与PCB布局，从而提升大功率电力电子设备的电磁兼容性（EMC）水平，降低现场运行中的故障率。