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拓扑与电路 功率模块 宽禁带半导体 ★ 2.0

一种自调谐Class-E/F3功率振荡器

A Self-Tuned Class-E/F3 Power Oscillator

作者 Shirin Pezeshkpour · Mohammad Mahdi Ahmadi
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2024年9月
技术分类 拓扑与电路
技术标签 功率模块 宽禁带半导体
相关度评分 ★★ 2.0 / 5.0
关键词 E/F3 类功率放大器 功率振荡器 自调谐 负载网络 开关型功率放大器 电路拓扑 效率
语言:

中文摘要

Class-E/F3功率放大器通过降低开关管峰值电压提升了Class-E的性能,但其输出功率和效率对负载网络参数高度敏感。本文提出了一种采用低Q值RC反馈网络的Class-E/F3功率振荡器,旨在最小化负载敏感性问题,实现自调谐功能。

English Abstract

Class-E/F3 power amplifier (PA) is a hybrid switching PA that enhances the performance of Class-E PA by reducing its peak switch voltage. The output power and the efficiency of a Class-E/F3 PA are sensitive to the values of the load network components. To minimize this issue, we propose a Class-E/F3 power oscillator (PO) whose feedback network is composed of a low-Q RC circuit. In the proposed cir...
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SunView 深度解读

该研究聚焦于高频功率放大器与振荡器拓扑,主要应用于射频或极高频电力电子领域。对于阳光电源而言,该技术目前与光伏逆变器、储能PCS或充电桩等主流电力电子产品(通常工作在几十kHz至几百kHz)存在频段差异。然而,随着宽禁带半导体(GaN/SiC)的应用普及,电力电子系统向高频化发展是趋势。该自调谐技术在降低开关应力、提升高频转换效率方面的思路,可为未来超高频功率变换模块的研发提供拓扑参考,有助于进一步缩小功率密度,提升产品竞争力。