找到 1 条结果

排序:
拓扑与电路 功率模块 宽禁带半导体 ★ 2.0

一种自调谐Class-E/F3功率振荡器

A Self-Tuned Class-E/F3 Power Oscillator

Shirin Pezeshkpour · Mohammad Mahdi Ahmadi · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月

Class-E/F3功率放大器通过降低开关管峰值电压提升了Class-E的性能,但其输出功率和效率对负载网络参数高度敏感。本文提出了一种采用低Q值RC反馈网络的Class-E/F3功率振荡器,旨在最小化负载敏感性问题,实现自调谐功能。

解读: 该研究聚焦于高频功率放大器与振荡器拓扑,主要应用于射频或极高频电力电子领域。对于阳光电源而言,该技术目前与光伏逆变器、储能PCS或充电桩等主流电力电子产品(通常工作在几十kHz至几百kHz)存在频段差异。然而,随着宽禁带半导体(GaN/SiC)的应用普及,电力电子系统向高频化发展是趋势。该自调谐技术...