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一种集成闭环控制的400V双相串联电容Buck变换器GaN集成电路
A 400 V Dual-Phase Series-Capacitor Buck Converter GaN IC With Integrated Closed-Loop Control
| 作者 | Samantha K. Murray · Avram Kachura · Olivier Trescases |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 DC-DC变换器 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | 氮化镓 GaN HEMT Buck变换器 单片集成 功率IC 闭环控制 电力电子 |
语言:
中文摘要
氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在100V以上应用中具有优于硅基LDMOS的品质因数。随着GaN制造工艺的进步，单片集成技术得以实现，将传感、保护和控制电路与高压GaN HEMT集成在同一芯片上，显著提升了功率变换器的集成度和性能。
English Abstract
Gallium nitride (GaN) high-electron-mobility transistors (HEMTs) offer a 13× better $R_{\text{DS,on}}Q_{g}$ figure-of-merit than silicon laterally-diffused metal-oxide semiconductor (LDMOS) devices for power converters operating above 100 V. Recent GaN manufacturing advancements allow monolithic integration, merging sensing, protection, and control circuits with high-voltage GaN HEMTs. This articl...
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SunView 深度解读
该技术展示了GaN器件在单片集成控制与高压转换方面的潜力，对阳光电源的户用光伏逆变器及电动汽车充电桩业务具有参考价值。随着功率密度要求的不断提高，将控制逻辑与GaN功率级集成可显著减小PCB面积并降低寄生参数。建议研发团队关注GaN IC在小功率DC-DC变换模块中的应用，以提升户用储能系统及充电桩辅助电源的效率与功率密度，优化产品体积与成本。