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高压IGBT载流子复合关断瞬态解析模型
An Analytical Carrier Recombination Turn-Off Transient Model for High-Voltage IGBTs
| 作者 | Zhiyuan Zhang · Hengxin He · Kejie Li · Nianwen Xiang · Weijiang Chen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 高压IGBT 载流子复合 关断瞬态 解析模型 电力电子系统 开关瞬态 器件建模 |
语言:
中文摘要
本文针对高压IGBT在铁路牵引、柔性直流输电及风力发电等领域的应用，提出了一种基于开关瞬态机制的关断过程解析模型。该模型深入分析了载流子复合对关断特性的影响，为高压功率器件的瞬态建模提供了理论支撑。
English Abstract
High-voltage insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) have been extensively used in power electronic systems, such as railway traction inverters, flexible dc transmission systems, and wind turbines, and it is necessary to investigate transient modeling of high-voltage IGBTs. Based on the mechanism of the switching transient, this article proposes a new analytical model for the turn-off process o...
S
SunView 深度解读
该研究对阳光电源的核心业务具有重要意义。高压IGBT是阳光电源集中式光伏逆变器、风电变流器及大型储能系统（如PowerTitan系列）中的核心功率半导体器件。通过建立精确的关断瞬态解析模型，研发团队可以更准确地预测器件在极端工况下的损耗与应力，从而优化驱动电路设计，提升逆变器和PCS的转换效率。此外，该模型有助于在产品设计阶段进行更精细的热仿真与可靠性评估，对于提升大功率电力电子设备在复杂电网环境下的长期运行稳定性及故障诊断能力具有直接的工程指导价值。