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一种具有单因素实验能力的GaN HEMT动态导通电阻测量灵活装置
A Flexible Setup for Dynamic On-State Resistance Measurements of GaN HEMTs With One-Factor-at-a-Time Capability
| 作者 | Mathias C. J. Weiser · Viktor Köhnlein · Ingmar Kallfass |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN HEMTs 动态导通电阻 陷阱效应 测量电路 电力电子 特性表征 脉冲波形 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种用于表征GaN HEMT陷阱效应的测量电路。该电路通过将高压源与负载电流生成分离，实现了极高的灵活性。该装置支持任意脉冲配置，适用于单脉冲及连续脉冲工作模式，能够有效评估GaN器件在实际功率变换过程中的动态导通电阻特性。
English Abstract
A measurement circuit for the characterization of trapping effects in GaN HEMTs is presented. The circuit is based on the operating principle of separating the high-voltage source from the load current generation to ensure maximum flexibility. Due to this separation, the setup can run arbitrary pulse profiles, it is usable in single-pulse and constantly pulsed operation, the maximum measurement du...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对高功率密度要求的提升，GaN器件的应用前景广阔。该研究提出的动态导通电阻测量方法，能够精准评估GaN器件在高速开关过程中的损耗与陷阱效应，对于优化逆变器及充电桩的功率模块设计、提升整机效率具有重要参考价值。建议研发团队将其引入功率器件选型测试流程，以应对高频化设计带来的可靠性挑战，助力下一代轻量化、高效能电力电子产品的开发。