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电磁脉冲诱导的GaN HEMT功率放大器失效分析
Electromagnetic Pulse Induced Failure Analysis of GaN HEMT Based Power Amplifier
| 作者 | Lei Wang · Changchun Chai · Tian-Long Zhao · Feng Wei · Wei-Shen Liu · Yutian Wang · Zhao Li · Le Xu · Fuxing Li · Yintang Yang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN HEMT 功率放大器 电磁脉冲 失效机理 性能退化 可靠性 S参数 |
语言:
中文摘要
本文揭示了基于商用GaN HEMT的功率放大器（PA）模块在注入高功率电磁脉冲（EMP）后的性能退化及物理失效机制。通过系统性的阶梯脉冲注入实验，监测S参数等关键指标，确定了PA模块的退化与失效阈值。
English Abstract
In this article, we first reveal the performance degradation and physical failure mechanism of a lab-designed GaN power amplifier (PA) module based on a commercial GaN high-electron-mobility transistor (HEMT) with high-power electromagnetic pulse injected. We carried out a systematic step pulse injection experiment to hunt out the degradation and failure threshold of PA module by monitoring its S-...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及微型逆变器中对高功率密度要求的提升，GaN器件的应用潜力巨大。本文探讨的电磁脉冲（EMP）诱导失效机制，对提升公司功率模块在复杂电磁环境下的鲁棒性具有参考价值。建议研发团队关注宽禁带半导体在极端环境下的可靠性边界，优化驱动电路的抗干扰设计，以确保在iSolarCloud智能运维平台监控下的系统长期运行稳定性，并为未来高频化、小型化产品的设计提供可靠性设计准则。