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功率器件技术 功率模块 宽禁带半导体 ★ 3.0

一种适用于宽可调脉宽范围的串联MOSFET隔离驱动方法

An Isolated Gate-Drive Method for Series MOSFETs in a Wide Adjustable Pulsewidth Range

作者 Yanchao Zhang · Chensui Ouyang · Zhiquan Zhou · Libao Liu · Jian Gao · Xiuyun Ren
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2024年1月
技术分类 功率器件技术
技术标签 功率模块 宽禁带半导体
相关度评分 ★★★ 3.0 / 5.0
关键词 隔离栅驱动 串联 MOSFET 宽脉宽 高压开关 电力电子 半导体开关
语言:

中文摘要

本文提出了一种新型隔离驱动方法,旨在实现高压串联MOSFET在宽脉宽调节范围下的高频重复脉冲输出。该技术在激光技术、X射线断层扫描及离子注入等领域具有重要应用价值,解决了高压开关应用中驱动同步性与脉宽灵活性的技术难题。

English Abstract

Solid-state switching semiconductors, such as mosfets, can realize high repetitive high-voltage pulse output with a wide adjustable pulsewidth range, which are of interest in laser technology and application, X-ray tomography, ion implantation, etc. In this article, an isolated drive method was proposed to realize driving series mosfets in a wide adjustable pulsewidth range in high repetitive high...
S

SunView 深度解读

该技术主要针对高压串联MOSFET的驱动控制,对于阳光电源而言,其核心价值在于提升高压功率变换系统的可靠性与效率。在阳光电源的集中式光伏逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)中,若需进一步提升直流侧电压等级以降低系统成本,该串联驱动技术可为高压功率模块的设计提供参考。此外,该技术在提升开关频率与脉宽控制精度方面的优势,有助于优化逆变器在极端工况下的动态响应,建议研发团队关注其在高压功率器件集成化驱动电路中的应用潜力。