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GaN HEMT短路测试平台搭建与特性分析
Short Circuits in GaN HEMTs: Test Bench Setup and Characterization
| 作者 | Javier Galindos · Diego Serrano · Jaume Roig-Guitart · Miroslav Vasic |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年3月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN HEMTs 短路 失效机理 退化指标 电力电子 可靠性 测试平台 |
语言:
中文摘要
本文介绍了一种用于表征氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在短路事件下的失效机理及退化指标的测试平台。理解该技术的失效模式对于提升功率变换器的可靠性至关重要，特别是在高可靠性应用场景中，短路事件是导致器件失效的主要原因之一。
English Abstract
In this article, a setup to characterize the failure mechanisms and degradation indicators of gallium nitride (GaN) high-electron-mobility transistors (HEMTs) under short-circuit events is presented. Understanding how this technology fails is critical, especially for space applications where a common failure mechanism is the short-circuit event due to radiation. First, the previous literature in t...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对功率密度要求的不断提高，GaN器件的应用潜力巨大。本文提出的短路失效机理研究及测试平台搭建方法，对于公司研发部门评估GaN器件在极端工况下的鲁棒性具有重要参考价值。建议在后续的组串式逆变器及户用储能PCS研发中，引入此类高频、高可靠性测试手段，以优化驱动保护电路设计，确保GaN器件在复杂电网环境下的长期运行稳定性，从而提升产品整体的可靠性水平。