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大尺寸高压反向阻断IGCT的异常开通现象
Abnormal Turn-ON Phenomenon of Large-Size and High-Voltage Reverse Blocking IGCT
| 作者 | Chunpin Ren · Jiapeng Liu · Jinpeng Wu · Jianhong Pan · Biao Zhao · Zhanqing Yu · Rong Zeng |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年10月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | RB-IGCT 高压 开通现象 电力电子 半导体器件 换相失败 混合LCC |
语言:
中文摘要
大尺寸高压反向阻断IGCT（RB-IGCT）可用于混合式电网换相换流器拓扑，以降低换相失败概率。然而，在8kV RB-IGCT样品中观察到一种异常开通现象，这可能阻碍正常的电流切换，目前尚未得到深入研究。
English Abstract
The large-size and high-voltage reverse blocking integrated gate-commutated thyristor (RB-IGCT) is available for the hybrid line-commutated converter topology to effectively reduce the commutation failure probability. However, an abnormal turn-on phenomenon is observed in the fabricated 8-kV RB-IGCT samples, which potentially hinders the normal current switching and has not been investigated yet. ...
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SunView 深度解读
该研究关注高压大功率器件的开关特性与可靠性，对阳光电源的集中式光伏逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）的功率模块选型具有参考价值。虽然IGCT主要应用于超高压输电领域，但其揭示的功率器件异常开通机制对优化大功率IGBT/SiC模块的驱动电路设计、提升系统在复杂工况下的可靠性具有借鉴意义。建议研发团队关注此类高压器件的失效机理，以提升阳光电源在极端工况下电力电子变换器的鲁棒性。