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功率器件技术 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

具有升压能力且无电流分流的单开关断续电流源栅极驱动器

Single-Switch Discontinuous Current-Source Gate Driver With Voltage Boosting Capability and No Current Diversion

作者 Saeed Zare · Hosein Farzanehfard
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2023年10月
技术分类 功率器件技术
技术标签 功率模块 宽禁带半导体
相关度评分 ★★★★ 4.0 / 5.0
关键词 栅极驱动器 电流源驱动器 MOSFET 电压提升 开关转换 电力电子 超低电压
语言:

中文摘要

本文提出了一种适用于超低压应用、具有升压能力的新型单开关断续电流源栅极驱动器(CSD)。该驱动器在MOSFET导通和关断转换过程中,栅极电流不会发生分流,因此相比传统CSD,其有效栅极电流更高且在开关过程中保持近乎恒定。

English Abstract

This article presents a novel single-switch discontinuous current-source gate driver (CSD)with voltage boosting capability appropriate for ultralow voltage applications. The power mosfet gate current using this CSD does not deviate during both turn-on and turn-off transitions. Thus, in comparison to the previous CSDs, the effective gate current is much higher and nearly constant during switching t...
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SunView 深度解读

该技术通过优化栅极驱动电路,提升了MOSFET在开关过程中的驱动效率与稳定性,对阳光电源的组串式逆变器及户用储能系统(如PowerStack)中的功率模块设计具有重要参考价值。随着宽禁带半导体(SiC/GaN)在光伏和储能产品中的广泛应用,该驱动方案有助于进一步降低开关损耗,提升整机功率密度与转换效率。建议研发团队评估其在超低压或高频开关场景下的集成可行性,以优化逆变器及PCS产品的热管理与动态响应性能。