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功率器件技术 IGBT 功率模块 ★ 4.0

用于6500V/1000A IGBT模块以降低开关损耗和集电极电流过冲的大电流输出数字栅极驱动器

Large-Current Output Digital Gate Driver for 6500 V, 1000 A IGBT Module to Reduce Switching Loss and Collector Current Overshoot

作者 Kohei Horii · Hiroki Yano · Katsuhiro Hata · Ruizhi Wang · Kazuto Mikami · Kenji Hatori · Koji Tanaka · Wataru Saito · Makoto Takamiya
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2023年7月
技术分类 功率器件技术
技术标签 IGBT 功率模块
相关度评分 ★★★★ 4.0 / 5.0
关键词 数字门极驱动器 IGBT 开关损耗 集电极电流过冲 高压功率模块 门极电流 电力电子
语言:

中文摘要

本文提出了一种采用半桥数模转换芯片和两个功率MOSFET的8位数字栅极驱动器(DGD),可实现±15V的输出电压摆幅及高达28A的驱动电流。该方案旨在降低6500V/1000A高压大电流IGBT模块的开关损耗(ELOSS)及集电极电流过冲(IOVERSHOOT),提升高压功率器件的驱动性能。

English Abstract

An 8-bit digital gate driver (DGD) using a half-bridge digital-to-analog converter IC and two power mosfets is proposed to enable the output voltage swing of ±15 V and the large gate current up to 28 A to reduce the switching loss (ELOSS) and the collector current overshoot (IOVERSHOOT) in a high-voltage, large-current IGBT module (HVIGBT) rated at 6500 V and 1000 A. By using the DGD to drive HVIG...
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SunView 深度解读

该技术对阳光电源的集中式逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要参考价值。在兆瓦级高压应用中,IGBT的驱动性能直接决定了系统的效率与可靠性。通过优化栅极驱动电路以降低开关损耗和电流过冲,不仅能提升逆变器/PCS的整机效率,还能有效缓解高压IGBT在复杂工况下的应力,延长设备寿命。建议研发团队关注该数字驱动方案在提升高压功率模块动态响应及电磁兼容性方面的潜力,以进一步优化大功率电力电子变换器的设计。