中压SiC器件栅极驱动器的高压隔离电源结构

High-Voltage Isolated Power Supply Structure for Gate Drivers of Medium-Voltage SiC Devices

作者	Anup Anurag · Peter Barbosa
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2023年6月
技术分类	功率器件技术
技术标签	SiC器件功率模块拓扑与电路
相关度评分	★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词	高压隔离栅极驱动器 SiC 器件电源结构磁耦合 PCB 绕组

语言:

中文摘要

本文提出两种用于中压碳化硅（SiC）器件的新型栅极驱动隔离电源结构，采用灌封PCB绕组和圆柱形磁芯。第一种设计利用两个圆柱形磁芯分别作为原边和副边绕组，并引入耦合线圈以增强磁耦合性能。该结构旨在优化中压功率器件驱动电路的隔离与传输效率。

English Abstract

This letter proposes two novel gate driver isolation structures with potted printed circuit board (PCB) windings and cylindrical rod-based cores to drive medium-voltage silicon carbide devices. The first design uses two cylindrical rod cores, each for the primary and secondary winding, and uses a coupling coil to improve the magnetic coupling between the primary and the secondary side. The second ...

SunView 深度解读

该技术对阳光电源的组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统具有重要参考价值。随着阳光电源在工商业及地面电站中加速应用高压SiC功率模块以提升功率密度和效率，栅极驱动电路的隔离可靠性成为关键挑战。该文提出的新型磁耦合结构有助于减小驱动电源体积，提升在高压环境下的抗干扰能力。建议研发团队评估该结构在1500V系统中的绝缘性能，并将其作为下一代高功率密度SiC逆变器驱动板的优化方向，以进一步降低系统损耗并提升产品可靠性。