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功率GaN HEMT器件阈值电压不稳定性测量电路
Threshold Voltage Instability Measurement Circuit for Power GaN HEMTs Devices
| 作者 | Rustam Kumar · Suvendu Samanta · Tian-Li Wu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | p-GaN栅极 GaN HEMT 阈值电压不稳定性 电力电子 测量电路 脉冲宽度 常关型操作 |
语言:
中文摘要
p-GaN栅极GaN HEMT器件是实现功率电子应用中常关型操作的首选，但其存在阈值电压不稳定性问题。传统曲线追踪仪无法提供小于500μs的短脉冲，难以准确表征该特性。本文提出了一种新型测量电路，能够实现更短脉冲下的阈值电压不稳定性表征。
English Abstract
The p gallium nitride (GaN) gate-based GaN high-electron mobility transistors (HEMTs) devices are preferred to achieve normally-off operation in power electronic applications. However, this type of device suffers from threshold voltage instability. That instability is typically characterized using a curve tracer. The curve tracer is unable to provide shorter pulsewidth lesser than 500 $\mu$s. This...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中对高功率密度和高效率的需求日益增长，GaN器件的应用前景广阔。阈值电压不稳定性是影响GaN器件长期可靠性的关键因素。该研究提出的短脉冲测量技术，对于阳光电源研发团队评估GaN器件在实际高频开关工况下的老化特性、优化驱动电路设计以及提升产品可靠性具有重要的参考价值。建议在后续的高频化逆变器及高效充电模块研发中，引入此类测试方法以建立更完善的器件可靠性评估体系。