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高功率X波段单片GaAs p-i-n平衡限幅器
High Power X-Band Monolithic GaAs p-i-n Balanced Limiter
| 作者 | Shifeng Li · Leiyang Wang · Bang Wu · Dingyi Guo · Yunfan Li · Yilin Zhao · Gary J. Cheng · Feng Liu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★ 2.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaAs p-i-n技术 X波段 单片限幅器 功率处理能力 Lange耦合器 p-i-n二极管 |
语言:
中文摘要
本文介绍了一种采用GaAs p-i-n技术制造的40W X波段单片平衡限幅器，尺寸为2.5mm×2.0mm。为提升功率处理能力，研究采用了圆角矩形p-i-n二极管、加宽交叉线的Lange耦合器、优化厚度的I层以及优化的隔离终端电阻等设计。
English Abstract
In this article, a 40-W X-band monolithic GaAs balanced limiter with a size of 2.5 mm × 2.0 mm is fabricated by GaAs p-i-n technology. To improve the power-handling capability of the limiter, a rounded rectangular p-i-n diode with a process-determined maximum circumference, a Lange coupler with widened crossover wires, an I-layer with a reasonable thickness, and an optimized isolated terminal resi...
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SunView 深度解读
该文章研究的GaAs p-i-n器件主要应用于高频射频（RF）领域，与阳光电源目前核心的光伏逆变器、储能PCS及风电变流器等电力电子功率变换业务关联度较低。虽然该研究涉及功率器件的散热优化与高功率密度设计思路，对电力电子器件的可靠性设计有一定参考价值，但GaAs材料在工业级电力变换领域应用受限。建议研发团队关注该类高频器件在智能运维平台无线通信模块或特定高频传感应用中的潜在辅助价值，但在核心功率变换拓扑中暂无直接应用场景。