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功率变换器中eGaN HEMT的开关瞬态建模

Switching Transition Modeling of eGaN HEMT in Power Converters

作者 Guidong Zhang · Yuanhang He · Samson Shenglong Yu · Yun Zhang · Chi K. Tse
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2023年4月
技术分类 功率器件技术
技术标签 GaN器件 DC-DC变换器 功率模块 宽禁带半导体
相关度评分 ★★★★ 4.0 / 5.0
关键词 eGaN HEMT 开关瞬态 功率变换器 栅极驱动电阻 建模 电力电子 过电压 误导通
语言:

中文摘要

驱动电阻的选择对功率变换器设计至关重要,不当的电阻值会导致效率降低及过压、误导通等异常行为。本文提出了一种针对DC-DC变换器中开关管的精确开关瞬态建模方法,旨在指导工程师进行驱动电路设计,优化开关性能。

English Abstract

Selection of power switch driver resistance is crucial for power converter design, and an improper resistance value can lead to reduced efficiency and undesired operational behavior such as overvoltage and false turn-on. To select appropriate resistance, this letter proposes an accurate switching transition modeling method for switches in dc–dc converters, which can help guide engineers design swi...
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SunView 深度解读

随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对功率密度要求的不断提升,宽禁带半导体(GaN)的应用成为技术演进的关键。该文献提出的开关瞬态建模方法,能够有效解决GaN器件在高频开关下的电压尖峰与误导通问题,对优化阳光电源户用逆变器及微型逆变器的驱动电路设计具有直接指导意义。建议研发团队在下一代高频化、小型化功率模块设计中引入该建模方法,以提升系统转换效率并降低EMI风险。