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一种降低GaN基独立控制多输出反激变换器反向导通损耗的改进PWM方案

Modified PWM Scheme to Reduce Reverse Conduction Loss in GaN-Based Independently Controlled Multiple Output Flyback Converter

作者 Arnab Sarkar · Nachiketa Deshmukh · Sandeep Anand
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2022年11月
技术分类 功率器件技术
技术标签 GaN器件 DC-DC变换器 PWM控制 宽禁带半导体
相关度评分 ★★★ 3.0 / 5.0
关键词 GaN开关 反激变换器 反向导通损耗 PWM方案 电力电子 交叉调节 负栅极电压
语言:

中文摘要

本文针对独立控制多输出反激变换器(ICMOFC)中GaN器件因负栅极关断电压导致的反向导通(RC)损耗问题,提出了一种改进的PWM控制方案。该方案通过优化开关时序,显著降低了GaN器件在反向导通期间的能量损耗,提升了变换器的整体效率。

English Abstract

The recently proposed independently controlled multiple output flyback converter (ICMOFC) scheme improves cross-regulation by utilizing gallium nitride (GaN) switches with negative gate turn-off voltage. The highly inefficient reverse conduction (RC) of negative gate biased GaN devices leads to significant RC loss in the existing ICMOFC scheme. To mitigate this problem, this letter proposes a new ...
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SunView 深度解读

该研究聚焦于宽禁带半导体(GaN)在多输出变换器中的损耗优化,对阳光电源的户用光伏逆变器及小型化储能产品具有参考价值。随着户用储能系统对功率密度和效率要求不断提高,多路输出辅助电源设计至关重要。该改进PWM方案可降低辅助电源损耗,提升系统整体效率。建议研发团队关注该技术在iSolarCloud智能运维平台配套的低功耗感知设备或小型DC-DC模块中的应用潜力,以进一步优化整机能效表现。