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高性能碳化硅功率模块寄生参数分析的改进方法
Improved Methodology for Parasitic Analysis of High-Performance Silicon Carbide Power Modules
| 作者 | Brian T. DeBoi · Andrew N. Lemmon · Brice McPherson · Brandon Passmore |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年10月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 有限元仿真 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 宽禁带半导体 碳化硅 (SiC) 寄生参数分析 功率模块 有限元分析 电压过冲 电磁特征 |
语言:
中文摘要
宽禁带半导体的高开关速度易在封装内部激发谐振，导致电压过冲及电磁干扰。本文提出了一种改进的有限元分析（FEA）方法，用于精确提取功率模块的寄生参数，从而优化器件几何结构并降低寄生效应，提升高性能功率模块的设计可靠性。
English Abstract
The high edge rates of wide bandgap (WBG) semiconductors are known to excite resonances within device packaging, resulting in increased voltage overshoot and electromagnetic signatures. Simulation tools based on finite-element analysis (FEA) are commonly used during design to optimize device geometry and minimize parasitics. However, developing an accurate model to extract these parameters is chal...
S
SunView 深度解读
该研究直接服务于阳光电源的核心竞争力。随着公司组串式逆变器（如SG系列）及储能系统（如PowerTitan）向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件的应用已成为提升效率的关键。该改进的寄生参数提取方法可显著优化功率模块的封装设计，有效抑制电压过冲，提升系统在极端工况下的电磁兼容性（EMC）与可靠性。建议研发团队将此仿真流程集成至下一代高频SiC逆变器及储能PCS的研发平台中，以缩短开发周期并提升产品性能。