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一种在直流断路器应用中使用超高驱动电压的IGBT电流提升方法
An IGBT Current Boosting Method by Using Ultrahigh Driving-Voltage in HVdc Circuit Breaker Applications
| 作者 | Jingfei Wang · Guishu Liang · Xiangyu Zhang · Lei Qi · Lvyang Chen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | HVdc断路器 IGBT 电流容量 驱动电压 电力电子技术 开断能力 |
语言:
中文摘要
基于电力电子技术的直流断路器通常需要大量IGBT以实现大容量分断,电流容量不足是导致成本过高的主要原因。本文提出了一种利用超高驱动电压提升IGBT电流容量的方法,旨在优化直流断路器应用中的功率器件性能。
English Abstract
High-voltage direct current (HVdc) circuit breakers based on power electronic technology usually require a large number of insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) to achieve large-capacity breaking. The insufficient current capacity is an important reason for the excessive cost of dc circuit breakers. However, the single switching condition in the circuit breaker makes it possible for IGBTs to ...
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SunView 深度解读
该技术通过优化驱动电压提升IGBT电流处理能力,对阳光电源的电力电子产品研发具有参考价值。虽然阳光电源核心业务集中在光伏逆变器和储能系统(如PowerTitan、ST系列PCS),但在高压直流输电(HVDC)配套设备及大功率储能系统的直流侧保护方案中,该方法可有效降低器件冗余,提升功率密度并降低成本。建议研发团队评估超高驱动电压对IGBT长期可靠性及驱动电路复杂度的影响,探索其在未来大容量直流断路器或高压储能系统保护模块中的应用潜力。