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肖特基型p-GaN栅HEMT中负栅极偏置引起的动态导通电阻退化
Negative Gate Bias Induced Dynamic ON-Resistance Degradation in Schottky-Type p-Gan Gate HEMTs
| 作者 | Zuoheng Jiang · Mengyuan Hua · Xinran Huang · Lingling Li · Chengcai Wang · Junting Chen · Kevin J. Chen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | p-GaN栅极HEMT 动态导通电阻 肖特基型 栅极偏置 电力电子 可靠性 GaN器件 |
语言:
中文摘要
本文系统研究了关断状态栅极偏置（VGS,OFF）对商用肖特基型p-GaN栅HEMT动态导通电阻（RON）的影响。通过双脉冲测试和脉冲I-V系统，评估了在硬开关和软开关条件下，不同栅极和漏极偏置对动态RON的影响。研究发现，更负的VGS,OFF会导致更显著的动态RON退化。
English Abstract
In this article, the impacts of the off-state gate bias (VGS,OFF) on dynamic on-resistance (RON) are systematically investigated in commercial Schottky-type p-GaN Gate high-electron-mobility transistors. Double-pulse tester and pulsed I–V system are adopted to evaluate the dynamic RON with various off-state gate and drain bias (VDS,OFF) under hard- and soft-switching conditions. More negative VGS,...
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SunView 深度解读
GaN作为宽禁带半导体，在阳光电源的高功率密度户用逆变器及小型化充电桩产品中具有重要应用前景。该研究揭示了p-GaN栅HEMT在负偏置下的动态导通电阻退化机制，对提升阳光电源产品的长期可靠性至关重要。建议研发团队在设计驱动电路时，优化负压关断策略，以抑制动态损耗增加。同时，该研究成果可指导iSolarCloud平台在功率器件状态监测与寿命预测算法中的参数校准，确保高频变换器在复杂工况下的稳定运行。