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氮化镓场效应管功率变换器开关损耗的时频域表征
Time- and Frequency-Domain Characterization of Switching Losses in GaN FETs Power Converters
| 作者 | Marco A. Azpurua · Marc Pous · Ferran Silva |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年3月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 DC-DC变换器 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN FETs 开关损耗 电力变换器 时频特性分析 DC-DC 变换器 电力电子 瞬时功率 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种用于表征氮化镓(GaN)场效应管在电力电子应用(特别是DC-DC变换器)中开关损耗的时频域分析方法。传统方法主要通过时域内瞬时电压电流乘积的积分来测量开关损耗,而本文通过引入时频分析技术,更精确地评估了高频开关条件下的损耗特性。
English Abstract
This article presents a methodology for the time-frequency characterization of switching losses in Gallium nitride field effect transistors used in power electronics applications, particularly in dc–dc converters. Typically, switching losses are measured in the time-domain through the integration of the instantaneous power, that is, the product of the voltage multiplied by the current, during the ...
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SunView 深度解读
GaN作为宽禁带半导体,是实现高功率密度和高效率的关键。阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能PCS中,正逐步探索GaN器件的应用以提升转换效率并减小体积。该研究提出的时频域表征方法,有助于研发团队更精准地评估GaN器件在复杂工况下的损耗,优化高频驱动电路设计,从而提升产品在轻载效率和热管理方面的竞争力。建议在下一代高频化户用逆变器及微型逆变器研发中引入该测试方法,以缩短器件选型与驱动匹配的验证周期。