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一种基于数字信号处理的SiC MOSFET短路保护检测电路
A Digital Signal Processing Based Detection Circuit for Short-Circuit Protection of SiC MOSFET
| 作者 | Seungjik Lee · Kihyun Kim · Minseob Shim · Ilku Nam |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年12月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 故障诊断 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 短路检测 SiC MOSFET 数字信号处理 寄生电感 电力电子 保护电路 关断操作 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种针对SiC MOSFET的短路检测（SCD）电路。该电路通过数字信号处理技术，利用SiC MOSFET源极寄生电感产生的感应电压进行检测，从而在短路故障下实现更稳定、可靠的关断操作，提高了功率电子系统的安全性。
English Abstract
A short-circuit detection (SCD) circuit is proposed for power electronics systems that use silicon carbide (SiC) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). The proposed SCD circuit incorporates a digital circuit for processing the voltage induced at the parasitic inductance of the source of SiC MOSFET to obtain an improved stable turn-off operation of the SiC MOSFET under SC con...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率，短路保护的可靠性至关重要。SiC器件的高开关速度使得传统模拟检测电路易受噪声干扰，该研究提出的数字信号处理方案能有效提升故障识别的抗干扰能力。建议研发团队在下一代高功率密度逆变器及PCS产品中引入该数字检测技术，以优化SiC模块的驱动保护逻辑，降低误触发风险，进一步提升产品在极端工况下的可靠性。