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功率半导体器件损耗分布的统计表征
Statistical Characterization for Loss Distributions of Power Semiconductor Devices
| 作者 | Ke Ma · Jiayang Lin · Ye Zhu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 可靠性分析 IGBT |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 功率半导体器件 损耗表征 统计分布 开关损耗 通态电压 可靠性评估 H桥测试电路 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种基于H桥测试电路的方法，用于揭示功率半导体器件开关损耗和通态电压的统计分布。该方法通过专门设计的测试序列，能够更准确地评估功率电子系统的可靠性，为器件损耗特性的深入研究提供了统计学依据。
English Abstract
Advanced loss characterizations of power semiconductor devices are becoming crucial for the reliability evaluation and improvement of power electronics systems. In this letter, a method based on an H-bridge testing circuit is proposed to reveal the statistical distribution of switching energy and on-state voltage of power semiconductor devices. This method includes a specially designed testing seq...
S
SunView 深度解读
该研究直接服务于阳光电源核心产品（光伏逆变器、储能PCS、风电变流器）的可靠性设计。功率器件是这些产品的核心损耗源，通过统计学方法量化损耗分布，有助于优化组串式及集中式逆变器在极端工况下的热设计与寿命预测。建议研发团队将此统计表征方法引入PowerTitan等储能系统的功率模块选型与可靠性验证流程中，通过更精确的损耗模型提升系统效率，并为iSolarCloud平台的故障预警提供更科学的器件退化评估基准。