← 返回
通过多物理场发光成像显微技术实现氮化镓微米级发光二极管侧壁缺陷的高分辨率可视化
High-resolution visualization of sidewall defects in gallium nitride micro light-emitting diode via multi-physical field luminescence imaging microscopy
| 作者 | Jinjian Yan · Zhuoying Jiang · Linjue Zhang · Mengyu Chen |
| 期刊 | Applied Physics Letters |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 卷/期 | 第 127 卷 第 12 期 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 GaN器件 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 氮化镓微发光二极管 侧壁缺陷 多物理场发光成像显微镜 高分辨率可视化 应用物理快报 |
语言:
中文摘要
本研究提出一种基于多物理场耦合的发光成像显微技术，实现了氮化镓微米级发光二极管（μLED）侧壁缺陷的高分辨率可视化。通过结合电致发光、阴极发光及应变场分布成像，精确识别了刻蚀过程中引入的非辐射复合中心与晶格损伤区域。该方法可有效关联器件局域电学与光学特性退化与侧壁缺陷的分布特征，为空间分辨缺陷表征提供了新途径，并为提升μLED器件性能与可靠性提供了重要依据。
English Abstract
Jinjian Yan, Zhuoying Jiang, Linjue Zhang, Mengyu Chen, Jinchai Li, Kai Huang, Cheng Li, Rong Zhang; High-resolution visualization of sidewall defects in gallium nitride micro light-emitting diode via multi-physical field luminescence imaging microscopy. _Appl. Phys. Lett._ 22 September 2025; 127 (12): 123504.
S
SunView 深度解读
该μLED缺陷表征技术对阳光电源GaN功率器件的质量控制和可靠性提升具有重要参考价值。通过多物理场发光成像显微技术，可以精确识别GaN器件制造过程中的缺陷，这对提升SG系列逆变器和ST系列储能变流器中GaN功率模块的性能至关重要。特别是在高频化设计和高功率密度应用场景下，该技术有助于优化GaN器件的制造工艺，提高器件可靠性，进而提升产品转换效率和功率密度。这对阳光电源开发新一代高性能电力电子产品具有重要的技术指导意义。