基于IGCT的MMC直通故障综合分析、设计与实验

Comprehensive Analysis, Design, and Experiment of Shoot-Through Faults in MMC Based on IGCT for VSC-HVDC

作者	Wenpeng Zhou · Biao Zhao · Jiapeng Liu · Zhengyu Chen · Xueteng Tang · Zhanqing Yu · Rong Zeng
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2021年6月
技术分类	功率器件技术
技术标签	多电平可靠性分析故障诊断功率模块
相关度评分	★★★ 3.0 / 5.0
关键词	模块化多电平变换器 IGCT 直通故障 VSC-HVDC 子模块设计可靠性分析

语言:

中文摘要

本文针对基于集成门极换流晶闸管（IGCT）的模块化多电平换流器（MMC），对其直通故障进行了全面分析、设计与实验验证。IGCT因其高可靠性、低成本及低电压降特性，成为高压直流输电（VSC-HVDC）的理想选择。研究重点探讨了子模块的故障机理及保护策略。

English Abstract

Modular multilevel converter (MMC) based on integrated gate commutated thyristor (IGCT) with high reliability, low cost, and voltage drop is a promising choice for high-voltage dc transmission based on the voltage-source converter. This article gives a comprehensive analysis, design, and experiment of shoot-through faults in IGCT-MMC. First, the designed structure of the submodule based on the IGC...

SunView 深度解读

该研究聚焦于高压大功率电力电子领域，虽然阳光电源目前的核心产品线（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统）主要采用IGBT或SiC器件，但随着公司在大型地面电站及高压直流输电领域业务的拓展，对IGCT等高压功率器件的应用研究具有前瞻性参考价值。文章中关于MMC直通故障的分析方法和保护设计逻辑，可为阳光电源研发高压大功率变流器（如大型集中式逆变器或未来高压储能PCS）提供可靠性设计思路，有助于提升系统在极端工况下的故障自愈能力。