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功率器件技术 多电平 可靠性分析 故障诊断 ★ 3.0

基于IGCT的MMC直通故障综合分析、设计与实验

Comprehensive Analysis, Design, and Experiment of Shoot-Through Faults in MMC Based on IGCT for VSC-HVDC

Wenpeng Zhou · Biao Zhao · Jiapeng Liu · Zhengyu Chen 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年6月

本文针对基于集成门极换流晶闸管(IGCT)的模块化多电平换流器(MMC),对其直通故障进行了全面分析、设计与实验验证。IGCT因其高可靠性、低成本及低电压降特性,成为高压直流输电(VSC-HVDC)的理想选择。研究重点探讨了子模块的故障机理及保护策略。

解读: 该研究聚焦于高压大功率电力电子领域,虽然阳光电源目前的核心产品线(如组串式逆变器、PowerTitan储能系统)主要采用IGBT或SiC器件,但随着公司在大型地面电站及高压直流输电领域业务的拓展,对IGCT等高压功率器件的应用研究具有前瞻性参考价值。文章中关于MMC直通故障的分析方法和保护设计逻辑,...