← 返回
具有0.85 GW/cm²巴利加优值或5A/700V处理能力的β-Ga2O3结势垒肖特基二极管演示
Demonstration of β-Ga2O3 Junction Barrier Schottky Diodes With a Baliga's Figure of Merit of 0.85 GW/cm2 or a 5A/700 V Handling Capabilities
| 作者 | Yuanjie Lv · Yuangang Wang · Xingchang Fu · Shaobo Dun · Zhaofeng Sun · Hongyu Liu · Xingye Zhou · Xubo Song · Kui Dang · Shixiong Liang · Jincheng Zhang · Hong Zhou · Zhihong Feng · Shujun Cai · Yue Hao |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | β-Ga2O3 结势垒肖特基(JBS)二极管 NiO 击穿电压 电力电子 宽禁带半导体 |
语言:
中文摘要
本文报道了首个垂直结构β-Ga2O3结势垒肖特基（JBS）二极管。通过引入热氧化p型NiO层，有效解决了β-Ga2O3缺乏p型掺杂的难题。实验表明，该器件在100×100 μm²面积下实现了1715V的击穿电压，展现了极高的功率处理潜力。
English Abstract
In this article, we report on demonstrating the first vertical β-Ga2O3 junction barrier Schottky (JBS) diode with the implementation of thermally oxidized p-type NiO to compensate for the dilemma of the forfeit of the p-type β-Ga2O3. With this wide-bandgap p-type NiOx, β-Ga2O3 JBS diodes with an area of 100 × 100 μm2 achieve a breakdown voltage (BV) and specific on-resistance Ron,sp of 1715 V and ...
S
SunView 深度解读
氧化镓（β-Ga2O3）作为超宽禁带半导体，其击穿场强远超SiC和GaN，在未来高压、高功率密度电力电子应用中具有巨大潜力。对于阳光电源而言，该技术若实现产业化，将显著提升光伏逆变器和储能变流器（PCS）的功率密度，并降低损耗。建议研发团队密切跟踪其垂直器件工艺成熟度，重点关注其在未来高压组串式逆变器及PowerTitan储能系统功率模块中的应用前景，以保持在下一代功率转换技术中的竞争优势。