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基于IGCT的高电流分断能力低成本高压直流断路器
Low-Cost HVdc Circuit Breaker With High Current Breaking Capability Based on IGCTs
| 作者 | Qiang Yi · Yifei Wu · Zhihui Zhang · Fei Yang · Yi Wu · Chong Gao · Chunping Niu · Mingzhe Rong |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | HVDC 直流断路器 IGCT IGBT 电力电子 电流开断能力 成本降低 |
语言:
中文摘要
直流断路器对高压直流（HVdc）系统的可靠性至关重要。目前广泛使用的压接式IGBT成本高昂，限制了HVdc的发展。本文提出了一种基于集成门极换流晶闸管（IGCT）的低成本高压直流断路器方案，旨在通过替代昂贵的IGBT器件，降低系统成本并提升大电流分断能力。
English Abstract
DC circuit breaker plays an important role in the reliability of HVdc system, but the large number of expensive press-pack insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) is used at present, which is a serious impediment to HVdc development. Thus, the low-price integrated gate commutated thyristor (IGCT) becomes a promising alternative device. This letter presents a low-cost HVdc circuit breaker with h...
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SunView 深度解读
该研究对于阳光电源在高压直流输电及大型储能系统（如PowerTitan系列）的直流侧保护具有重要参考价值。目前公司储能系统多采用IGBT模块，随着储能系统电压等级向1500V甚至更高迈进，直流侧故障保护的成本与效率成为关键。IGCT在处理大电流、高电压场景下具备导通损耗低、通流能力强的优势。建议研发团队关注IGCT在直流断路器中的应用潜力，评估其在大型工商业及电网侧储能系统直流侧保护中的可行性，以优化系统成本并提升极端工况下的故障切断可靠性。