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智能功率模块中的选择性栅极驱动
Selective Gate Driving in Intelligent Power Modules
| 作者 | Julio Brandelero · Jeffrey Ewanchuk · Stefan Mollov |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 智能功率模块 IGBT 并联芯片 电流分布 门极驱动 功率半导体 电流均衡 |
语言:
中文摘要
由于功率半导体芯片制造的限制，高功率模块通常通过多个芯片并联以满足电流需求。尽管现代IGBT模块设计上实现了较好的电流均衡，但由于参数差异，仍存在不平衡问题。本文提出了一种选择性栅极驱动技术，旨在优化并联芯片间的电流分配，提升功率模块的整体性能与可靠性。
English Abstract
Due to practical limitations in the manufacturing of power semiconductor dies, high power modules are composed of several dies in parallel in order to meet the desired load current requirements. With careful attention to the design, modern insulated gate bipolar transistor (IGBT)-based power modules feature relatively balanced current distribution amongst the parallel dies. However, owing to the i...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）具有重要价值。在高功率密度设计中，IGBT并联均流直接影响模块的温升与寿命。通过引入选择性栅极驱动技术，公司可进一步优化大功率PCS及逆变器中功率模块的并联均流控制，降低因电流不平衡导致的局部过热风险，从而提升产品在极端工况下的可靠性与转换效率。建议在下一代高功率密度模块的驱动电路设计中引入该控制策略，以增强产品在电网侧储能及大型地面电站应用中的竞争优势。