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兆赫兹频率下GaN DC-DC升压变换器的动态温度测量
Dynamic Temperature Measurements of a GaN DC–DC Boost Converter at MHz Frequencies
| 作者 | Cristian Matei · Jonas Urbonas · Haris Votsi · Dustin Kendig · Peter H. Aaen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN DC-DC升压变换器 热反射法 温度测量 可靠性 高电子迁移率晶体管 MHz频率 |
语言:
中文摘要
为了实现可靠性预测，氮化镓（GaN）晶体管需要精确的峰值工作温度估计。本文提出了一种基于热反射技术的温度测量新方法，应用于GaN高电子迁移率晶体管。该测量系统具备亚微米空间分辨率和纳秒级时间分辨率，能够实现对高频开关条件下器件热特性的精确捕捉。
English Abstract
For reliability predictions, gallium nitride transistors require accurate estimations of the peak operating temperatures within the device. This article presents a new application of thermoreflectance-based temperature measurements performed on a gallium nitride high electron mobility transistor. The submicron spatial and nanosecond temporal resolutions of the measurement system enables for the fi...
S
SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对功率密度要求的不断提升，高频化（MHz）已成为技术演进趋势。GaN器件作为宽禁带半导体的代表，是实现高频、高效率设计的关键。本文提出的热反射测量技术为GaN器件在极端高频工况下的热设计提供了高精度验证手段，有助于优化阳光电源组串式逆变器及微型逆变器的散热设计，提升功率模块的可靠性评估水平，从而在保证长寿命的同时进一步缩小产品体积。