← 返回
共源共栅GaN HEMT短路振荡研究
Investigation on the Short-Circuit Oscillation of Cascode GaN HEMTs
| 作者 | Peng Xue · Luca Maresca · Michele Riccio · Giovanni Breglio · Andrea Irace |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | Cascode GaN HEMT 短路 自激振荡 栅极电阻 电力电子 可靠性 宽禁带器件 |
语言:
中文摘要
本文研究了共源共栅（Cascode）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在短路条件下产生的自激振荡现象。研究发现，该振荡在短路事件中被激发，且栅极电阻RG对抑制该振荡的效果并不显著。
English Abstract
This article presents the study on the self-sustained oscillation of cascode gallium nitride (GaN) high-electron-mobility transistors (HEMTs), which occurs under the short-circuit (SC) condition. Based on the SC test, it is found that the self-sustained oscillation can be excited in the SC event of cascode GaN HEMTs. Moreover, the gate resistance RG does not have a significant damping effect on th...
S
SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及高频化功率变换器中对GaN器件的应用探索，该研究具有重要参考价值。Cascode GaN器件在极端短路工况下的自激振荡可能导致器件失效，影响逆变器可靠性。建议研发团队在设计驱动电路及短路保护策略时，不能仅依赖增加栅极电阻，需结合寄生参数优化PCB布局，或采用更先进的快速关断保护逻辑，以提升产品在严苛环境下的鲁棒性，助力公司在下一代高功率密度产品中安全应用宽禁带半导体。