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功率器件技术 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 3.0

基于标准恢复二极管的500kV高压直流断路器二极管桥式双向固态开关优化设计

Optimal Design of Diode-Bridge Bidirectional Solid-State Switch Using Standard Recovery Diodes for 500-kV High-Voltage DC Breaker

作者 Xiangyu Zhang · Zhanqing Yu · Zhengyu Chen · Biao Zhao · Rong Zeng
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2020年2月
技术分类 功率器件技术
技术标签 IGBT 功率模块 可靠性分析
相关度评分 ★★★ 3.0 / 5.0
关键词 二极管桥式双向固态开关 DBSS 高压直流断路器 标准恢复二极管 IGBT 电力电子 开关特性
语言:

中文摘要

目前,高压直流断路器通常需使用快速恢复二极管配合IGBT等全控型器件。然而,二极管桥式双向固态开关(DBSS)的特殊工况为应用标准恢复二极管提供了可能,这有助于降低成本并优化系统设计。

English Abstract

At present, it is usually necessary to use fast recovery type diodes to cooperate with the fast switching actions of fully controlled devices such as insulated-gate bipolar transistors (IGBTs). However, the specific nature of the working conditions of the diode-bridge bidirectional solid-state switch (DBSS) provides an opportunity to apply standard recovery diodes for this purpose, which helps to ...
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SunView 深度解读

该研究探讨了在高压直流断路器中以标准恢复二极管替代快速恢复二极管的可行性,这对电力电子系统的降本增效具有参考价值。虽然阳光电源目前的核心业务集中在光伏逆变器、储能PCS及充电桩等中低压领域,但随着高压直流输电及大型储能电站直流侧保护需求的增长,该拓扑优化思路可为公司未来布局高压直流保护技术提供技术储备。建议研发团队关注该方案在降低功率模块损耗与成本方面的潜力,评估其在大型储能系统直流侧保护或高压直流接入场景下的应用前景。