← 返回
拓扑与电路 功率模块 宽禁带半导体 ★ 2.0

一种基于65nm CMOS工艺的34dB动态范围0.7mW紧凑型开关电容功率检测器

A 34-dB Dynamic Range 0.7-mW Compact Switched-Capacitor Power Detector in 65-nm CMOS

作者 Chenyang Li · Xiang Yi · Chirn Chye Boon · Kaituo Yang
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2019年10月
技术分类 拓扑与电路
技术标签 功率模块 宽禁带半导体
相关度评分 ★★ 2.0 / 5.0
关键词 动态范围 功率检测器 CMOS 开关电容 PN结二极管 线性度 功耗
语言:

中文摘要

本文介绍了一种采用65nm CMOS工艺设计的宽动态范围、低功耗、紧凑型功率检测器。针对传统功率检测器受MOSFET非线性限制的问题,本文利用PN结二极管作为开关,有效提升了输入输出的线性度。

English Abstract

This letter presents a wide dynamic range low power consumption power detector with a compact area in a 65-nm complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process. The maximum detectable power of traditional power detector is limited due to the non-linearity of MOSFETs. This problem is solved by using P-type and N-type doped material (PN) junction diodes as switches that have a linear input-outp...
S

SunView 深度解读

该研究聚焦于集成电路层面的功率检测技术,主要应用于射频或微小信号处理领域。对于阳光电源而言,该技术与目前主流的光伏逆变器、储能变流器(PCS)及充电桩的大功率电力电子变换电路关联度较低。但在iSolarCloud智能运维平台涉及的传感器信号采集前端,或未来针对高精度功率监测的微型化芯片设计中,该低功耗、高线性度的检测方案可作为技术储备,用于提升系统内部关键信号的监测精度,降低辅助电源功耗。