找到 9 条结果
Gamma-深度高斯过程耦合建模的多层聚合物铝电容动态可靠性评估
Dynamic Reliability Assessment of Multilayer Polymer Aluminum Capacitors via Gamma-Deep Gaussian Process Coupled Modeling
作者未知 · 电子元件与材料 · 2025年12月 · Vol.2025
针对高温高频工况下多层聚合物铝电容可靠性评估难题，提出Gamma过程与深度高斯过程（DGP）耦合模型，融合温度、功耗等多应力退化机制，在80%容值阈值下实现高精度剩余寿命预测；常温R²达0.9999，高温下热效应致误差上升。
解读: 该研究对阳光电源ST系列PCS、PowerTitan储能系统及组串式逆变器中高压高频DC链路电容的寿命预测与主动运维具有重要价值。聚合物铝电容广泛用于逆变器直流母线和PCS交直流侧滤波，其失效易引发系统停机。建议将该模型嵌入iSolarCloud平台，结合实时温度与功率数据，为PowerStack液...
一种反激式变换器轻载降功耗控制新方案
A Novel Control Scheme for Light Load Power Reduction of Flyback Converter
Qifan Liu · Xi Jiang · Xiaowu Gong · Song Yuan 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月
反激式变换器在轻载条件下的功耗优化是提升系统能效的关键。本文针对现有文献对轻载功耗研究不足的问题，提出了一种新型控制技术，旨在降低反激式变换器在轻载工况下的损耗，以满足日益增长的高能效设计需求。
解读: 反激式拓扑常用于阳光电源户用光伏逆变器的辅助电源（Auxiliary Power Supply）或小型充电桩的控制电路中。虽然阳光电源的核心产品（如PowerTitan、组串式逆变器）多采用LLC或三电平拓扑，但辅助电源的轻载效率直接影响整机的待机功耗和CEC/欧洲效率指标。该控制方案可优化辅助电源...
同步调相机负载换相逆变器的新型速度控制方法
Novel Speed Control Method for Load Commutation Inverters for Synchronous Condensers
Dongho Kim · Jinwoo Park · Seon-Gu Kang · Hyeju Mun 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年11月
本文提出了一种用于负载换相逆变器（LCI）的新型速度控制算法，旨在优化同步调相机的并网过程。通过取消传统的直流电流内环，设计了单环速度控制器，有效缩短了启动时间并降低了并网过程中的功耗，提升了动态响应性能。
解读: 该技术主要涉及大功率电网支撑设备（同步调相机）的启动与控制，与阳光电源的电网侧储能（PowerTitan）及构网型（GFM）技术高度相关。随着高比例可再生能源接入，电网对惯量支撑和动态电压调节的需求增加。该研究提出的简化控制环路和快速启动策略，可借鉴应用于阳光电源的大型储能电站黑启动及构网型控制策略...
一种基于65nm CMOS工艺的34dB动态范围0.7mW紧凑型开关电容功率检测器
A 34-dB Dynamic Range 0.7-mW Compact Switched-Capacitor Power Detector in 65-nm CMOS
Chenyang Li · Xiang Yi · Chirn Chye Boon · Kaituo Yang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年10月
本文介绍了一种采用65nm CMOS工艺设计的宽动态范围、低功耗、紧凑型功率检测器。针对传统功率检测器受MOSFET非线性限制的问题，本文利用PN结二极管作为开关，有效提升了输入输出的线性度。
解读: 该研究聚焦于集成电路层面的功率检测技术，主要应用于射频或微小信号处理领域。对于阳光电源而言，该技术与目前主流的光伏逆变器、储能变流器（PCS）及充电桩的大功率电力电子变换电路关联度较低。但在iSolarCloud智能运维平台涉及的传感器信号采集前端，或未来针对高精度功率监测的微型化芯片设计中，该低功...
一种用于包络跟踪放大器的带反自举电平转换器的单片GaN DC-DC降压转换器
A Monolithic GaN DC–DC Buck Converter With an Antibootstrap Level Shifter for Envelope-Tracking Amplifier
Longkun Lai · Chenhao Li · Xin Jiang · Shuoxiong Yang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年1月
DC-DC降压转换器是提升现代通信系统效率的关键模块。本文提出了一种用于包络跟踪应用的新型单片GaN DC-DC降压转换器，集成了功率级和驱动器。首次提出了一种功耗近乎为零的反自举电平转换器，有效降低了驱动功耗。
解读: 该研究聚焦于GaN器件的单片集成及驱动电路优化，对阳光电源的功率电子技术储备具有参考价值。在光伏与储能领域，随着对高功率密度和高效率的追求，GaN等宽禁带半导体在户用光伏逆变器及小型化储能PCS中的应用前景广阔。该文提出的“近零功耗”电平转换技术，可为阳光电源下一代高频、高效率功率模块的驱动电路设计...
一种具有用于自举高侧栅极驱动器和二极管仿真器的动态电平转换器的高压DC-DC降压转换器
A High-Voltage DC–DC Buck Converter With Dynamic Level Shifter for Bootstrapped High-Side Gate Driver and Diode Emulator
Bing Yuan · Jing Ying · Wai Tung Ng · Xin-Quan Lai 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年7月
针对自举高侧栅极驱动设计中的传播延迟、dVSW/dt抗扰度和功耗问题，本文提出了一种集成高速动态电平转换器和改进型栅极驱动缓冲器的高压DC-DC降压转换器。通过引入瞬时动态电流，电平转换器的传播延迟降低至1.13 ns。
解读: 该技术对阳光电源的组串式光伏逆变器及储能变流器（PCS）产品具有重要参考价值。在PowerTitan等储能系统及高功率密度组串式逆变器中，高侧驱动电路的开关速度与抗干扰能力直接决定了功率模块（如SiC/GaN）的效率与可靠性。该研究提出的低延迟动态电平转换技术，有助于优化驱动电路设计，降低开关损耗，...
通过降低导通电阻的新方法单片集成GaN微LED与HEMT
Monolithically Integrating GaN MicroLEDs on HEMTs With a New Approach for Lower On-Resistance
Ran Zhang · Hongping Liu · Yuefei Cai · IEEE Electron Device Letters · 2025年7月
高电子迁移率晶体管（HEMT）驱动的微型发光二极管（microLED）在用于可见光通信、微显示和生物传感等领域的电压可控发光方面已有大量报道。现有的集成方法基于采用选择性区域生长法的n - 氮化镓（n - GaN）/二维电子气（2DEG）互连方案。由于微型发光二极管与高电子迁移率晶体管之间互连界面的面积有限，以及高电子迁移率晶体管缓冲层表面蚀刻损伤导致选择性外延生长质量不佳，集成器件存在导通电阻相对较大和电流扩展较差的问题。本文提出了一种将高电子迁移率晶体管与微型发光二极管集成的新方法。该方法无...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项GaN HEMT与microLED单片集成技术虽然当前主要应用于可见光通信、微显示等领域，但其底层技术突破对我司功率电子产品具有重要的潜在价值。 该技术的核心创新在于优化了GaN器件的集成工艺，通过在AlGaN/GaN HEMT表面直接选择性外延生长microLED，...
探索面向未来技术节点的硅纳米片CMOS反相器有前景架构
Finding a Promising CMOS Inverter Architecture With Silicon Nanosheet for Future Technology Node
Anjali Goel · Akhilesh Rawat · Brajesh Rawat · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年3月
在本研究中，我们系统地探究了基于硅纳米片（NSH）的互补金属氧化物半导体（CMOS）反相器的静态和动态性能，这些反相器包括互补场效应晶体管（CFET）、叉片式（FSH）和标准堆叠纳米片（s - NSH）结构，适用于5纳米及更先进的技术节点。CMOS反相器的性能分析是通过在完全校准的技术计算机辅助设计（TCAD）模拟中进行三维工艺模拟完成的，该模拟基于玻尔兹曼输运方程和泊松方程的自洽求解，并包含量子和迁移率修正项。我们的研究结果表明，在1纳米技术节点下，与s - NSH反相器相比，CFET反相器取...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于硅纳米片CMOS逆变器架构的研究虽然聚焦于半导体制程技术，但其底层创新对我们的核心产品具有重要的间接价值。需要明确的是，论文中的"inverter"指的是数字逻辑电路中的反相器，而非我们的光伏逆变器产品，但其技术突破对我们的功率电子控制系统具有战略意义。 该研究展...
超堆叠叉片场效应晶体管在埃节点下的功耗、性能与面积分析
Power, Performance, and Area Analysis of Ultra-Stacked Forksheet-FET for Angstrom Nodes
作者未知 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年7月
本研究首次探究了适用于埃米级节点的具有五个沟道的超堆叠叉片式场效应晶体管（FSFET）在标准单元和芯片层面的功耗、性能和面积（PPA）优势。在相同驱动电流条件下，五堆叠FSFET的沟道宽度比传统的四堆叠FSFET更小，从而实现了进一步的尺寸缩小。在传统的纳米片场效应晶体管（NSFET）中，大量的沟道会增加寄生电阻和电容，进而降低器件性能。然而，FSFET的侧壁、环绕式接触、金属源/漏以及沟道较小的垂直间距可以缓解寄生参数的增加。因此，五堆叠FSFET可以在不降低频率的情况下实现较小的占位面积。我...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项超堆叠叉片场效应晶体管（FSFET）技术代表了半导体工艺在埃米级节点的重要突破，对我们的核心产品具有战略意义。 在光伏逆变器和储能变流器领域，功率半导体芯片是决定系统效率、功率密度和可靠性的关键要素。该技术通过五层通道堆叠实现了10.5%-10.7%的芯片面积缩减和7...