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通过降低导通电阻的新方法单片集成GaN微LED与HEMT
Monolithically Integrating GaN MicroLEDs on HEMTs With a New Approach for Lower On-Resistance
Ran Zhang · Hongping Liu · Yuefei Cai · IEEE Electron Device Letters · 2025年5月
高电子迁移率晶体管（HEMT）驱动的微型发光二极管（microLED）在用于可见光通信、微显示和生物传感等领域的电压可控发光方面已有大量报道。现有的集成方法基于采用选择性区域生长法的n - 氮化镓（n - GaN）/二维电子气（2DEG）互连方案。由于微型发光二极管与高电子迁移率晶体管之间互连界面的面积有限，以及高电子迁移率晶体管缓冲层表面蚀刻损伤导致选择性外延生长质量不佳，集成器件存在导通电阻相对较大和电流扩展较差的问题。本文提出了一种将高电子迁移率晶体管与微型发光二极管集成的新方法。该方法无...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项GaN HEMT与microLED单片集成技术虽然当前主要应用于可见光通信、微显示等领域，但其底层技术突破对我司功率电子产品具有重要的潜在价值。 该技术的核心创新在于优化了GaN器件的集成工艺，通过在AlGaN/GaN HEMT表面直接选择性外延生长microLED，...
探索面向未来技术节点的硅纳米片CMOS反相器有前景架构
Finding a Promising CMOS Inverter Architecture With Silicon Nanosheet for Future Technology Node
Anjali Goel · Akhilesh Rawat · Brajesh Rawat · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年3月
在本研究中，我们系统地探究了基于硅纳米片（NSH）的互补金属氧化物半导体（CMOS）反相器的静态和动态性能，这些反相器包括互补场效应晶体管（CFET）、叉片式（FSH）和标准堆叠纳米片（s - NSH）结构，适用于5纳米及更先进的技术节点。CMOS反相器的性能分析是通过在完全校准的技术计算机辅助设计（TCAD）模拟中进行三维工艺模拟完成的，该模拟基于玻尔兹曼输运方程和泊松方程的自洽求解，并包含量子和迁移率修正项。我们的研究结果表明，在1纳米技术节点下，与s - NSH反相器相比，CFET反相器取...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于硅纳米片CMOS逆变器架构的研究虽然聚焦于半导体制程技术，但其底层创新对我们的核心产品具有重要的间接价值。需要明确的是，论文中的"inverter"指的是数字逻辑电路中的反相器，而非我们的光伏逆变器产品，但其技术突破对我们的功率电子控制系统具有战略意义。 该研究展...
SolarNexus：一种用于自适应光伏功率预测与可扩展管理的深度学习框架
_SolarNexus_: A deep learning framework for adaptive photovoltaic power generation forecasting and scalable management
Hyunsik Mina · Byeongjoon Noh · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.391
摘要 光伏（PV）功率预测在可再生能源管理中发挥着关键作用。然而，传统预测模型通常难以适应动态环境变化，并在不同区域间实现有效扩展。针对这些挑战，本文提出了一种融合时间卷积网络（TCN）、多头注意力机制（MHA）、在线学习和迁移学习的深度学习框架。为验证所提方法的有效性，我们采用了来自韩国九个太阳能电站的数据。该数据集来源于韩国开放数据门户和韩国气象厅，涵盖了2017年1月1日至2019年12月31日的逐小时光伏发电量及气象参数，其中两年用于训练，一年用于测试。我们在相同条件下将所提出的TCN-...
解读: 该深度学习预测框架对阳光电源iSolarCloud智能运维平台具有重要应用价值。TCN-MHA在线学习模型可集成至SG系列逆变器和ST储能系统的智能调度算法,实现17.19%的NRMSE预测精度,支持多区域迁移学习降低85%训练时间和99%功耗。该技术可优化PowerTitan储能系统的充放电策略,...
超堆叠叉片场效应晶体管在埃节点下的功耗、性能与面积分析
Power, Performance, and Area Analysis of Ultra-Stacked Forksheet-FET for Angstrom Nodes
作者未知 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年1月
本研究首次探究了适用于埃米级节点的具有五个沟道的超堆叠叉片式场效应晶体管（FSFET）在标准单元和芯片层面的功耗、性能和面积（PPA）优势。在相同驱动电流条件下，五堆叠FSFET的沟道宽度比传统的四堆叠FSFET更小，从而实现了进一步的尺寸缩小。在传统的纳米片场效应晶体管（NSFET）中，大量的沟道会增加寄生电阻和电容，进而降低器件性能。然而，FSFET的侧壁、环绕式接触、金属源/漏以及沟道较小的垂直间距可以缓解寄生参数的增加。因此，五堆叠FSFET可以在不降低频率的情况下实现较小的占位面积。我...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项超堆叠叉片场效应晶体管（FSFET）技术代表了半导体工艺在埃米级节点的重要突破，对我们的核心产品具有战略意义。 在光伏逆变器和储能变流器领域，功率半导体芯片是决定系统效率、功率密度和可靠性的关键要素。该技术通过五层通道堆叠实现了10.5%-10.7%的芯片面积缩减和7...
热电制冷器用于自适应个人热管理的数值建模与性能优化
Numerical modeling and design performance optimization of thermoelectric coolers for adaptive personal thermal management
Dhoni Nagaraj · Arshad Javed · Satish Kumar Dubey · Sanket Goel · Energy Conversion and Management · 2025年1月 · Vol.342
摘要 热电制冷器（TECs）利用珀尔帖效应实现高效冷却，为热管理提供了一种紧凑且可靠的解决方案。本研究通过在COMSOL Multiphysics中进行数值建模，系统地研究了关键设计参数和运行参数对器件性能的影响。分析的关键输入参数包括热电臂高度、臂间间距、输入电流以及传热系数（h）。评估的性能指标包括制冷量（Qc）、功耗、性能系数（COP）和温差（ΔT），重点在于实现最大效率。采用先进的统计方法，包括实验设计（DOE）和方差分析（ANOVA），以量化这些参数的重要性并优化TEC的性能。结果表明...
解读: 该热电制冷器多物理场优化技术对阳光电源电动汽车驱动系统及储能热管理具有重要价值。研究中的电流-热耦合建模方法可直接应用于SiC功率器件散热设计,DOE/ANOVA统计优化思路可指导ST系列PCS和充电桩的热管理系统参数整定。特别是电流输入与传热系数对COP的协同影响分析,为PowerTitan储能系...