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大功率IGCT门极驱动单元杂散阻抗测量与改进
Stray Impedance Measurement and Improvement of High-Power IGCT Gate Driver Units
| 作者 | Zhengyu Chen · Zhanqing Yu · Xuan Liu · Jiapeng Liu · Rong Zeng |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 可靠性分析 储能变流器PCS |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | IGCT 门极驱动单元 杂散阻抗 关断能力 电力电子 实验测量 |
语言:
中文摘要
集成门极换流晶闸管（IGCT）的关断能力高度依赖于门极驱动单元（GDU）的换流性能。杂散阻抗是限制其性能的关键因素，但此前缺乏准确的获取方法。本文详细分析了基于实验测量的阻抗获取方法，涵盖了电解电容与陶瓷电容等关键组件的特性分析。
English Abstract
Turn-off capability of integrated gate-commutated thyristor is highly dependent on the commutation capability of its gate driver unit (GDU). To enhance it, stray impedance is the crucial limitation, which has not been obtained accurately before. Thus, in this paper, acquisition method of impedance based on experimental measurements was carefully analyzed, including electrolytic and ceramic capacit...
S
SunView 深度解读
IGCT作为高压大功率电力电子器件，在超大功率应用场景中具有潜力。虽然阳光电源目前的主流产品（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统）主要采用IGBT或SiC模块，但随着电网侧储能及大型风电变流器向更高电压等级和更大功率密度演进，对驱动电路的杂散参数优化至关重要。本文提出的杂散阻抗测量与改进方法，可为阳光电源研发团队在优化大功率PCS驱动电路设计、提升开关频率及降低损耗方面提供参考，有助于提升系统整体的功率密度与可靠性。