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功率器件技术 功率模块 可靠性分析 储能变流器PCS ★ 3.0

大功率IGCT门极驱动单元杂散阻抗测量与改进

Stray Impedance Measurement and Improvement of High-Power IGCT Gate Driver Units

Zhengyu Chen · Zhanqing Yu · Xuan Liu · Jiapeng Liu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年7月

集成门极换流晶闸管(IGCT)的关断能力高度依赖于门极驱动单元(GDU)的换流性能。杂散阻抗是限制其性能的关键因素,但此前缺乏准确的获取方法。本文详细分析了基于实验测量的阻抗获取方法,涵盖了电解电容与陶瓷电容等关键组件的特性分析。

解读: IGCT作为高压大功率电力电子器件,在超大功率应用场景中具有潜力。虽然阳光电源目前的主流产品(如组串式逆变器、PowerTitan储能系统)主要采用IGBT或SiC模块,但随着电网侧储能及大型风电变流器向更高电压等级和更大功率密度演进,对驱动电路的杂散参数优化至关重要。本文提出的杂散阻抗测量与改进方...