← 返回
利用低压硅MOSFET组成的多电平变换器提高汽车逆变器整体效率
Improving the Overall Efficiency of Automotive Inverters Using a Multilevel Converter Composed of Low Voltage Si mosfets
| 作者 | Fengqi Chang · Olga Ilina · Markus Lienkamp · Leon Voss |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年4月 |
| 技术分类 | 电动汽车驱动 |
| 技术标签 | 多电平 IGBT SiC器件 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 车载逆变器 多电平变换器 Si MOSFET IGBT SiC MOSFET 电力驱动系统 效率 纯电动汽车 |
语言:
中文摘要
为提升电动汽车续航里程并降低成本，本文提出在电驱动系统中采用基于低压硅MOSFET的多电平变换器。通过对多电平硅MOSFET逆变器、传统IGBT逆变器及碳化硅（SiC）MOSFET逆变器进行建模，并在参考车型上进行对比分析。
English Abstract
In order to improve the driving range and reduce the cost of battery electric vehicles through a higher efficiency, this paper proposes to adopt multilevel converters using low-voltage Si mosfets in the electric powertrains. A multilevel Si mosfet inverter, a conventional insulated-gate bipolar transistor (IGBT) inverter, and a SiC mosfet inverter are modeled and compared using a reference vehicle...
S
SunView 深度解读
该研究探讨的多电平拓扑与低压MOSFET应用，对阳光电源电动汽车充电桩及车载电源产品线具有重要参考价值。随着高压平台趋势，多电平技术能有效降低开关损耗并提升功率密度。建议研发团队关注该拓扑在充电桩功率模块中的应用潜力，以优化转换效率并降低系统成本。同时，该研究对比SiC与Si MOSFET的思路，可为阳光电源在充电桩及光伏逆变器功率器件选型策略上提供技术支撑，助力产品在高性能与经济性之间取得平衡。