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通过共源共栅配置改善超结MOSFET的第三象限运行
Improving the Third Quadrant Operation of Superjunction MOSFETs by Using the Cascode Configuration
| 作者 | Juan Rodriguez · Diego G. Lamar · Jaume Roig · Alberto Rodriguez · Filip Bauwens |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年3月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 超结 MOSFET 共源共栅配置 第三象限运行 反向恢复 电力电子 解析模型 SJ-FET |
语言:
中文摘要
本文通过解析模型和实验数据，深入研究了高压超结MOSFET（SJ-FET）在与低压硅MOSFET组成的共源共栅配置（CC）下的第三象限行为。通过评估反向恢复时间（tRR）和反向恢复峰值电流等指标，对比了SJ-CC与独立SJ-FET的第三象限动态特性。
English Abstract
In this paper, the third quadrant behavior of a high-voltage superjunction mosfet (SJ-FET) in cascode configuration (CC) with a low-voltage silicon mosfet is deeply studied by means of an analytical model and experimental data. The third quadrant dynamic behavior of the SJ-CCs is compared to the standalone counterparts by evaluating their reverse recovery time (tRR), reverse recovery peak current ...
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SunView 深度解读
该研究对于提升阳光电源组串式逆变器及储能变流器（PCS）的效率具有重要参考价值。在光伏逆变器和PowerTitan等储能系统中，功率模块的开关损耗和反向恢复特性直接影响整机效率与温升。通过采用共源共栅（Cascode）配置优化超结MOSFET的第三象限特性，可以有效降低死区时间损耗，提升高频化设计下的系统效率。建议研发团队关注该技术在提升功率密度及降低EMI方面的潜力，特别是在高压储能变流器中，利用该配置可进一步优化功率器件的开关性能，提升系统可靠性。