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面向LDMOS功率放大器的非线性嵌入设计方法
Nonlinear-Embedding Design Methodology Oriented to LDMOS Power Amplifiers
| 作者 | Gianni Bosi · Antonio Raffo · Francesco Trevisan · Valeria Vadala · Giovanni Crupi · Giorgio Vannini |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年10月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★ 2.0 / 5.0 |
| 关键词 | 非线性嵌入 LDMOS 功率放大器 晶体管负载线 本征电流源 设计方法论 |
语言:
中文摘要
本文首次将非线性嵌入技术应用于基于横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）场效应晶体管的功率放大器（PA）设计。该技术通过在固有电流发生器平面设置晶体管负载线，遵循理论准则进行优化，从而实现高效的PA设计。
English Abstract
In this paper, we apply for the first time the nonlinear-embedding technique to the design of power amplifiers (PAs) based on laterally-diffused metal-oxide-semiconductor (LDMOS) field-effect transistors. Such a design technique is based on setting the transistor load line at the intrinsic current-generator plane, according to well-known theoretical guidelines. Then, the selected operating conditi...
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阳光知情 深度解读
该文章探讨的LDMOS器件及非线性嵌入设计方法主要应用于高频射频（RF）功率放大领域。对于阳光电源而言，虽然目前核心产品（如光伏逆变器、储能PCS）主要采用SiC或IGBT等功率半导体，而非LDMOS，但该研究中提出的“非线性嵌入”与“负载线优化”设计思路，对于提升功率模块在极端工况下的效率和热管理设计具有一定的参考价值。建议研发团队关注该方法在宽禁带半导体（如SiC MOSFET）高频驱动电路优化中的潜在迁移应用，以进一步提升逆变器功率密度。