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提高IGBT短路可靠性：如何抑制振荡
Improving the Short-Circuit Reliability in IGBTs: How to Mitigate Oscillations
| 作者 | Paula Diaz Reigosa · Francesco Iannuzzo · Munaf Rahimo · Chiara Corvasce · Frede Blaabjerg |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | IGBT 短路可靠性 振荡机理 沟槽栅 平面栅 电力电子 器件分析 |
语言:
中文摘要
本文通过电路与器件分析，研究了限制绝缘栅双极型晶体管（IGBT）鲁棒性的振荡机制。文章采用时域分析方法，对比了沟槽栅和平面栅两种IGBT单元结构，揭示了振荡周期内的二维效应，旨在为提升功率器件在短路工况下的可靠性提供理论支撑。
English Abstract
In this paper, the oscillation mechanism limiting the ruggedness of insulated gate bipolar transistors (IGBTs) is investigated through both circuit and device analysis. The work presented here is based on a time-domain approach for two different IGBT cell structures (i.e., trench-gate and planar), illustrating the two-dimensional effects during one oscillation cycle. It has been found that the gat...
S
SunView 深度解读
IGBT作为阳光电源组串式逆变器、集中式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）的核心功率开关器件，其短路可靠性直接决定了产品的整机寿命与安全性。该研究揭示的振荡抑制机制，对于优化逆变器驱动电路设计、提升功率模块在极端电网故障或短路工况下的鲁棒性具有重要参考价值。建议研发团队在下一代高功率密度产品设计中，结合文中提到的沟槽栅/平面栅特性，优化驱动参数与保护策略，以降低开关过程中的振荡风险，进一步提升iSolarCloud监控下的系统运维可靠性。