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一种应用于SPIC的漂移区以电子为载流子的高压“准p-LDMOS”
A High-Voltage “Quasi-p-LDMOS” Using Electrons as Carriers in Drift Region Applied for SPIC
| 作者 | Bo Yi · Junji Cheng · Xing Bi Chen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | 准p-LDMOS 漂移区 电子电流 浮空电极 功率集成电路 导通电阻 击穿电压 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种新型“准p-LDMOS”器件，通过引入浮空电极F将空穴电流转化为电子电流，并在漂移区利用电子作为导电载流子。结合集成低压电源与逆变器实现对电子电流的自动控制，从而优化了器件的导通电阻与击穿电压特性，提升了功率集成电路（SPIC）的性能。
English Abstract
A new type of “quasi-p-lateral diffused metal oxide semiconductor” (quasi-p-LDMOS), in which electrons are used as conductive carriers in the drift region is proposed. A floating electrode F is used in the “quasi-p-LDMOS” to transform the hole current into electron current. Then, by using an integrated low-voltage power and an inverter to control the electron current automatically, the specific on...
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SunView 深度解读
该研究涉及功率半导体器件底层结构的创新，对于阳光电源的组串式逆变器及户用光伏逆变器中的驱动电路集成化具有参考价值。虽然阳光电源目前主要采用成熟的Si/SiC功率模块，但该类新型LDMOS技术在提升控制电路集成度、降低辅助电源损耗以及优化iSolarCloud智能运维平台配套的传感器接口电路方面具有潜在应用前景。建议研发团队关注该器件在低压控制侧的集成效率提升，以进一步优化逆变器内部辅助电源系统的功率密度。