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功率器件技术 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

采用复合终端的氧化镓肖特基势垒二极管静态与动态特性实验研究

Experimental Study on Static and Dynamic Characteristics of Ga2O3 Schottky Barrier Diodes With Compound Termination

Yuxi Wei · Xiaorong Luo · Yuangang Wang · Juan Lu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年10月

本文提出并实验研究了一种具有改进击穿电压的超快反向恢复β-Ga2O3肖特基势垒二极管(SBD)。该器件采用复合终端结构,结合了空气间隙场板和热氧化终端,有效降低了介质/Ga2O3界面的高密度界面态及电子浓度,提升了器件的耐压性能与开关特性。

解读: 氧化镓(Ga2O3)作为超宽禁带半导体,在未来高压、高功率密度电力电子应用中具有巨大潜力。对于阳光电源而言,该技术若实现产业化,将显著提升组串式逆变器及PowerTitan系列储能变流器(PCS)的效率与功率密度,并减小散热系统体积。建议研发团队持续跟踪其在高温环境下的可靠性表现及成本演进,评估其在...

功率器件技术 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

具有5.18 GW/cm²创纪录巴利加优值

BFOM)的2.41 kV垂直结构P-NiO/n-Ga2O3异质结二极管

Yuangang Wang · Hehe Gong · Yuanjie Lv · Xingchang Fu 等14人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年4月

本文展示了采用复合终端结构(p-NiO结终端扩展JTE和小角度斜角场板BFP)的高性能p-NiO/β-Ga2O3异质结二极管。通过引入p-NiO JTE结构,器件击穿电压从955V提升至1945V,结合BFP技术进一步实现了2.41kV的击穿电压及5.18 GW/cm²的巴利加优值,展现了氧化镓器件在高压功率电子领域的巨大潜力。

解读: 氧化镓(Ga2O3)作为超宽禁带半导体,其理论击穿场强远超SiC和GaN,是未来高压功率器件的重要演进方向。对于阳光电源而言,该技术若实现产业化,将显著提升组串式光伏逆变器和PowerTitan系列储能变流器(PCS)的功率密度与效率,并降低散热系统成本。建议研发团队持续跟踪氧化镓材料的晶圆制备工艺...

功率器件技术 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

具有0.85 GW/cm²巴利加优值或5A/700V处理能力的β-Ga2O3结势垒肖特基二极管演示

Demonstration of β-Ga2O3 Junction Barrier Schottky Diodes With a Baliga's Figure of Merit of 0.85 GW/cm2 or a 5A/700 V Handling Capabilities

Yuanjie Lv · Yuangang Wang · Xingchang Fu · Shaobo Dun 等15人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年6月

本文报道了首个垂直结构β-Ga2O3结势垒肖特基(JBS)二极管。通过引入热氧化p型NiO层,有效解决了β-Ga2O3缺乏p型掺杂的难题。实验表明,该器件在100×100 μm²面积下实现了1715V的击穿电压,展现了极高的功率处理潜力。

解读: 氧化镓(β-Ga2O3)作为超宽禁带半导体,其击穿场强远超SiC和GaN,在未来高压、高功率密度电力电子应用中具有巨大潜力。对于阳光电源而言,该技术若实现产业化,将显著提升光伏逆变器和储能变流器(PCS)的功率密度,并降低损耗。建议研发团队密切跟踪其垂直器件工艺成熟度,重点关注其在未来高压组串式逆变...

功率器件技术 宽禁带半导体 SiC器件 GaN器件 ★ 4.0

双层NiO/β-Ga2O3异质结二极管实现2870 V/20 A及12.80 ns反向恢复时间

Double-Layered-NiO/β-Ga2O3 Heterojunction Diode With 2870-V/20-A and 12.80-ns Reverse Recovery Time

Shaobo Dun · Yuangang Wang · Yuanjie Lv · Tingting Han 等7人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2026年1月 · Vol.73

本文报道了一种基于双层p-NiO/β-Ga2O3的高压大电流异质结二极管,实现2870 V击穿电压、20 A正向电流、14.4 mΩ·cm²导通电阻及12.80 ns超快反向恢复时间,展现出优异的高压高频功率器件潜力。

解读: 该β-Ga2O3异质结二极管在高压(>2.8 kV)、快速开关(<13 ns)和低导通损耗方面取得突破,可支撑阳光电源下一代高功率密度ST系列PCS、PowerTitan储能系统中更高效率的直流侧开关模块设计,尤其适用于1500 V+高压储能系统中的固态断路器或高频隔离DC-DC环节。建议联合国内宽...

可靠性与测试 可靠性分析 光伏逆变器 地面光伏电站 ★ 5.0

基于加速湿热老化试验的TOPCon组件寿命预测

Lifetime Prediction of TOPCon Modules Based on Accelerated Damp Heat Life Tests

Junwei Duan · Lixia Yang · Hao Jiang · Ruirui Lv 等13人 · IEEE Journal of Photovoltaics · 2026年1月 · Vol.16

本文提出融合改进Peck模型与Sigmoid退化函数的加速老化模型,结合粒子群优化标定参数,精准预测TOPCon组件在湿热、HAST及mPCT下的功率衰减(RMSE=0.7%)。揭示DH退化主因是栅线腐蚀导致FF下降,并证实POE封装较EVA可延长服役寿命23年。

解读: 该研究直接支撑阳光电源TOPCon兼容型组串式逆变器(如SG3125HV)及iSolarCloud智能运维平台的长期可靠性设计与质保策略优化。POE封装寿命优势为阳光电源PowerTitan储能系统配套光伏侧提供更高匹配可靠性;建议在海南等高湿地区项目中优先推荐POE封装组件+SG逆变器组合,并将模...