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功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于多通道结构的高电流密度GaN基P沟道FinFET演示

Demonstration of a GaN-based P-channel FinFET with high current density based on multi-channel structure

Xu Liu · Shengrui Xu · Tao Zhang · Hongchang Tao 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年5月 · Vol.126

本文报道了一种基于多通道结构的氮化镓(GaN)P沟道FinFET器件,实现了高漏极电流密度。通过精确设计鳍状沟道的几何结构与掺杂分布,有效提升了空穴载流子的输运特性与栅控能力。实验结果表明,该器件在常温下表现出良好的开关特性与饱和电流输出,最大漏极电流密度显著优于同类P型GaN器件。该结构为高性能GaN基互补逻辑电路的发展提供了可行的技术路径。

解读: 该GaN基P沟道FinFET技术对阳光电源的功率变换产品具有重要价值。多通道结构实现的高电流密度特性,可显著提升SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率密度。作为互补逻辑电路的关键器件,该P型GaN器件有助于开发更高效的三电平拓扑结构,特别适用于车载OBC等对体积敏感的应用场景。其优异的开关特性...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 DC-DC变换器 ★ 4.0

集成空芯变压器的氮化镓甚高频变换器

GaN VHF Converters With Integrated Air-Core Transformers

Zhiliang Zhang · Ke Xu · Zhi-Wei Xu · Jiahua Xu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年4月

本文提出了一种空芯变压器集成方法,通过将变压器直接安装在多层PCB板内,并保持与顶层元件的适当距离,显著减小了PCB占用面积,从而实现了更高的功率密度。

解读: 该技术在提升功率密度方面具有显著优势,对阳光电源的户用光伏逆变器及小型化储能PCS产品线具有重要参考价值。随着宽禁带半导体(GaN)在甚高频(VHF)领域的应用,通过PCB集成空芯变压器可有效降低寄生参数,优化系统散热与体积。建议研发团队关注该集成工艺在小功率高频变换器中的应用,以进一步提升产品竞争...

风电变流技术 多电平 功率模块 并网逆变器 ★ 4.0

具有全范围电压调节功能的桥臂复用模块化多电平变换器拓扑与控制

Topology and Control of an Arm Multiplexing MMC With Full-Range Voltage Regulation

Yi Wang · Zhen Zhang · Yutao Xu · Yuhua Gao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

针对海上风电远距离输电系统对变换器小型化的需求,本文提出了一种桥臂复用模块化多电平变换器(MMC)。传统MMC在任一时刻仅投入50%子模块,存在大量冗余。该拓扑结合模块化结构与器件串联开关,有效减少了冗余子模块数量,实现了全范围电压调节,提升了功率密度。

解读: 该技术对于阳光电源的风电变流器业务具有重要参考价值。海上风电正向大功率、深远海方向发展,对变流器的功率密度和体积要求极高。文中提出的“桥臂复用”技术能显著降低子模块冗余,减小设备体积与重量,直接契合海上风电平台对紧凑型设计的需求。建议研发团队关注该拓扑在降低系统成本、提升海上风电变流器可靠性方面的潜...

系统并网技术 ★ 4.0

基于里德堡原子干涉仪的直流与工频电场测量

DC and power-frequency electric field measurement with Rydberg-atom interferometry

Yingying Han · Changfa He · Zhenxiong Weng · Peng Xu 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年7月 · Vol.127

本文提出并实现了一种基于里德堡原子干涉技术的直流与工频电场精密测量方法。利用里德堡态原子对电场的高度敏感性,通过电磁感应透明效应构建干涉机制,实现了宽频带电场的非侵入式检测。实验中成功测量了静态电场及50 Hz工频电场,灵敏度达到V/m量级,具备良好的线性响应与稳定性。该方法为电力系统监测、高精度电磁计量及基础物理研究提供了新的技术手段。

解读: 该里德堡原子干涉测量技术对阳光电源的电力电子产品有重要应用价值。其V/m级的高精度电场测量能力可应用于:1) ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的EMC优化设计,提升电磁兼容性能; 2) PowerTitan大型储能系统的电场分布监测,保障设备安全运行; 3) 电动汽车充电桩的漏电检测与防护。这...

光伏发电技术 ★ 5.0

AgBiI4中理论缺陷工程以提升光伏性能

Theoretical defect engineering in AgBiI4 for enhanced photovoltaic performance

Quanhe Yan · Haoze Li · Zhongyi Luo · Haoyu Cao · Applied Physics Letters · 2025年7月 · Vol.127

本文通过第一性原理计算研究了AgBiI4中的缺陷性质,并提出缺陷工程策略以提升其光伏性能。结果表明,通过调控合成条件可有效抑制深能级缺陷的形成,增强载流子寿命与迁移率。掺杂研究表明,适量Cu替代Ag或Sb替代Bi可优化载流子浓度并降低缺陷态密度。此外,碘空位的容忍性较高,有利于器件制备过程中的稳定性。本工作为AgBiI4基太阳能电池的材料设计与性能优化提供了理论指导。

解读: 该AgBiI4缺陷工程研究为阳光电源光伏产品提供了材料层面的理论指导。研究中通过Cu/Sb掺杂优化载流子浓度、抑制深能级缺陷的策略,可应用于SG系列光伏逆变器的上游组件材料选型与供应链质量管控。碘空位容忍性高的发现对提升组件长期稳定性具有参考价值,有助于优化iSolarCloud平台的衰减预测模型。...

光伏发电技术 GaN器件 ★ 5.0

可极化调控的界面电荷转移及CuInP2S6/AsSBr异质结构中的光伏特性

Polarization-controllable interface charge transfer and photovoltaic properties in CuInP2S6/AsSBr heterostructures

Ziqing Huang · Huakai Xu · Xingyuan Chen · Jiansheng Dong 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年4月 · Vol.126

本文研究了CuInP2S6/AsSBr异质结构中由铁电极化调控的界面电荷转移机制及其对光伏性能的影响。通过第一性原理计算,揭示了外加极化方向可有效调节界面电荷重分布,进而显著影响内建电场和能带偏移。结果表明,特定极化取向下可实现高效的载流子分离与输运,显著提升光电转换效率。该工作为设计高性能、可调控的二维铁电光伏器件提供了理论依据和新思路。

解读: 该铁电异质结界面电荷调控技术对阳光电源光伏逆变器产品具有前瞻性参考价值。研究揭示的极化调控载流子分离机制可启发SG系列逆变器中MPPT算法的优化思路,通过动态调节工作点实现更高效的光电转换。虽然二维铁电材料尚处基础研究阶段,但其可调控内建电场的理念可借鉴至GaN功率器件的栅极电场优化设计中,提升器件...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 ★ 4.0

总电离剂量辐照下动态栅极应力诱导的SiC MOSFET栅氧退化研究

Investigation on Gate Oxide Degradation of SiC MOSFETs Induced by Dynamic Gate Stress Under Total Ionizing Dose Irradiation

Jiahao Hu · Xiaochuan Deng · Tao Xu · Haibo Wu 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年10月

在这篇快报中,研究了碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)在总电离剂量辐照下由动态栅极应力引起的栅极氧化物退化情况,以准确评估……

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于SiC MOSFET栅极氧化层在辐射环境下动态应力退化机制的研究具有重要的战略意义。SiC功率器件已成为我们新一代光伏逆变器和储能变流器的核心部件,其可靠性直接影响产品在极端环境下的表现。 该研究聚焦于总剂量辐射与动态栅极应力的耦合效应,这对我们在特殊应用场景具有...

光伏发电技术 GaN器件 ★ 5.0

通过2-氯噻吩溶剂调控埋入型给体的聚集行为以用于逐层有机光伏器件的室内应用

The mediated aggregation behavior of buried donor via 2-chlorothiophene solvent in the layer-by-layer organic photovoltaic for indoor application

Xingting Liu · Shanlei Xu · Weiguo Zhu · Xin Song · Applied Physics Letters · 2025年8月 · Vol.127

本研究探讨了在面向室内光照应用的逐层有机光伏器件中,采用2-氯噻吩作为加工溶剂对埋入型给体材料聚集行为的调控作用。结果表明,该溶剂可有效优化给体层的分子堆积与相分离形态,增强电荷传输性能,抑制复合损失。通过调控薄膜的微观结构,器件在低照度条件下展现出优异的光电转换效率与稳定性,为高性能室内有机光伏器件的设计提供了新思路。

解读: 该有机光伏薄膜微观结构调控技术对阳光电源室内光伏应用具有参考价值。研究中通过溶剂工程优化分子聚集与相分离的方法,可启发SG系列逆变器在低照度MPPT算法的优化设计,特别是针对室内分布式发电场景的弱光追踪策略。埋入型给体层的电荷传输优化思路,与阳光电源功率器件中GaN/SiC异质结界面工程存在共性,可...

光伏发电技术 ★ 4.0

空气中双重建钝化构建高效宽带隙钙钛矿太阳能电池组件

Dual passivation in air for constructing high-efficiency wide-bandgap perovskite solar cell modules

Xuefeng Xu · Bingchen He · Zhenhuang Su · Kanrui Jiang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年6月 · Vol.126

本文报道了一种在空气中实现双重建钝化的策略,用于制备高效宽带隙钙钛矿太阳能电池组件。通过界面与体相协同钝化,有效抑制了非辐射复合,提升了载流子寿命和器件开路电压。该方法无需惰性气氛加工,显著增强了工艺环境适应性。所制备的小组件在16.5 cm²有效面积上实现了超过20%的光电转换效率,且表现出良好的稳定性。此技术为大面积钙钛矿光伏模块的低成本、可扩展制造提供了可行路径。

解读: 该空气中双重钝化宽带隙钙钛矿技术对阳光电源SG系列光伏逆变器产品具有重要应用价值。宽带隙钙钛矿电池(1.68eV以上)可与晶硅电池构成叠层结构,理论效率突破单结极限,为逆变器输入提供更高电压和功率密度。空气环境加工工艺显著降低制造成本,契合阳光电源大规模量产需求。16.5cm²组件20%效率验证了工...

功率器件技术 SiC器件 ★ 4.0

重离子辐照在4H-SiC肖特基势垒二极管中诱导的陷阱浓度深度分布

Depth profile of trap concentration induced by heavy ion irradiation in 4H-SiC Schottky barrier diode

Xueqiang Yu · Xiaodong Xu · Hao Jiang · Lei Wu · Applied Physics Letters · 2025年7月 · Vol.127

本文研究了重离子辐照在4H-SiC肖特基势垒二极管中引入的缺陷陷阱浓度随深度的分布特性。通过变能量重离子辐照结合深能级瞬态谱技术,获得了不同深度处的陷阱浓度分布,并分析了主要缺陷能级(如Z1/Z2和HK中心)的形成机制与空间演化规律。结果表明,陷阱浓度分布与离子射程及电子/核能损密切相关,缺陷峰值区域位于近表面至几个微米深度范围内。该研究为理解SiC器件在高能粒子环境下的退化机理提供了实验依据。

解读: 该研究对阳光电源SiC功率器件的可靠性设计具有重要指导意义。研究揭示的重离子辐照导致的缺陷分布特性,直接关系到我司ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中SiC器件的辐照耐受性。特别是在航天级和核电站配套的高可靠性产品中,需要充分考虑这种缺陷效应对器件性能的影响。基于该研究成果,我们可以优化SiC器...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

抑制陷阱效应的氮化镓HEMT沟道温度测量与热阻表征模型

Trap-suppressed channel temperature measurement and thermal resistance characterization model for GaN HEMTs

Suzhou Laboratory · Qing Zhu · Ke Xu · Yue Hao · Applied Physics Letters · 2025年9月 · Vol.127

针对氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)中陷阱效应对沟道温度测量的干扰问题,提出了一种抑制陷阱效应的沟道温度提取与热阻表征模型。该模型通过动态栅压调控技术有效抑制表面和界面陷阱的充放电行为,结合电学法精确提取稳态与瞬态沟道温度,并建立与陷阱密度相关的热阻解析模型。实验结果表明,该方法显著降低了传统电学测温中的误差,提升了高温工作条件下器件热特性的表征精度,为GaN HEMTs的热管理设计提供了可靠依据。

解读: 该GaN HEMT热阻精确表征技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。在ST系列储能变流器和SG光伏逆变器中,GaN器件因高频高效特性被广泛采用,但陷阱效应导致的温度测量误差直接影响热管理设计可靠性。该模型通过动态栅压调控抑制陷阱充放电,可精确提取沟道温度,为阳光电源优化GaN功率模块散热设计、提升...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

具有高击穿电压和高温度灵敏度的614 MW/cm² AlGaN沟道肖特基势垒二极管

A 614 MW/cm2 AlGaN-channel Schottky barrier diode with high breakdown voltage and high temperature sensitivity

Heyuan Chen · Tao Zhang · Huake Su · Xiangdong Li 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种基于AlGaN沟道的高性能肖特基势垒二极管,其功率密度高达614 MW/cm²,兼具高击穿电压与优异的温度灵敏度。通过优化AlGaN材料结构与界面特性,器件在高温环境下表现出稳定的电学性能和良好的热响应特性,适用于高频、高功率及高温电子应用。实验结果表明,该二极管在反向击穿电压和正向导通特性之间实现了良好平衡,同时展现出显著的温度依赖性电流输运行为,为高温传感与高功率整流集成提供了新思路。

解读: 该AlGaN肖特基二极管技术对阳光电源功率器件升级具有重要参考价值。614 MW/cm²的高功率密度特性可应用于SG系列高功率密度光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率模块设计,有助于提升功率密度和转换效率。其优异的高温特性对车载OBC和充电桩等高温工作环境下的器件选型提供新思路。该技术的温度灵敏特性...

拓扑与电路 充电桩 DC-DC变换器 LLC谐振 ★ 3.0

一种具有高偏移容忍度的单端混合谐振变换器

A Single-Ended Hybrid Resonant Converter With High Misalignment Tolerance

Guangjie Ke · Qianhong Chen · Shuai Zhang · Xingcan Xu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年10月

本文提出了一种用于无线充电的单端混合谐振变换器(SEHRC),旨在提供一种兼具成本效益与高偏移容忍度的解决方案。通过对该变换器进行时域和频域的综合特性分析,揭示了混合补偿网络在阻抗变换方面的优势,能够有效维持输入阻抗特性,提升无线电能传输系统的鲁棒性。

解读: 该研究提出的高偏移容忍度谐振拓扑对阳光电源的电动汽车充电桩业务具有参考价值。虽然目前主流充电桩以有线快充为主,但随着无线充电技术在乘用车及工业AGV领域的渗透,该拓扑在提升充电便利性及系统抗干扰能力方面具有潜在应用前景。建议研发团队关注其在低成本、高效率无线充电模块中的应用,以优化充电桩产品的用户体...

拓扑与电路 多电平 功率模块 并网逆变器 ★ 4.0

级联多电平变换器中分布式H桥之间的电力线通信设计与实现

Design and Implementation of Power Line Communication Among Distributed H-Bridges in a Cascaded Multilevel Converter

Linchong Xu · Xing Zhang · Wei Zhao · Jun Xu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

在分布式级联多电平变换器中,模块间通信对分布式控制至关重要。利用串联电力线进行通信最具成本效益,但变换器产生的开关噪声严重干扰通信信道,影响传输可靠性。本文针对该挑战,提出了相应的通信设计与实现方案。

解读: 该技术对于阳光电源的组串式逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要参考价值。随着储能系统向模块化、分布式架构演进,模块间的高效通信是实现精细化控制和故障诊断的关键。利用电力线通信(PLC)技术可显著降低系统布线成本,提升系统集成度。建议研发团队关注该方案在抑制高频开关噪声方面的抗干...

系统并网技术 并网逆变器 弱电网并网 跟网型GFL ★ 5.0

并网逆变器耦合谐波电流源建模

Modeling of Coupled Harmonic Current Source for Grid-Connected Inverters

Shun Tao · Xinyi Zhu · Shaobo Xu · Yonghai Xu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月

随着高比例新能源与电力电子设备的接入,电网背景谐波与并网逆变器之间的交互产生频率耦合效应,导致电网中出现额外的谐波分量。本文针对基于频率耦合的谐波源建模进行了深入研究,旨在解决现有研究在频率耦合建模方面的不足,为提升电力电子化电网的谐波稳定性提供理论支撑。

解读: 该研究直接关系到阳光电源组串式及集中式光伏逆变器在复杂电网环境下的电能质量表现。随着电网电力电子化程度加深,逆变器与弱电网的谐波交互已成为影响系统稳定性的关键因素。通过建立精确的耦合谐波源模型,阳光电源可优化逆变器控制算法,提升在复杂背景谐波下的抗干扰能力,确保产品在弱电网环境下的并网合规性。建议将...

拓扑与电路 DC-DC变换器 PWM控制 储能变流器PCS ★ 4.0

基于多绕组耦合电感的PWM控制单级谐振变换器

PWM Controlled Single Stage Resonant Converter With Multiwinding Coupled Inductor

Jingtao Xu · Jing Guo · Lulin Zhang · Guo Xu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年11月

本文提出了一种采用多绕组耦合电感的固定频率PWM控制谐振变换器。该拓扑实现了单级功率传输及全范围零电压开关(ZVS),具备负载无关的电压增益特性及宽范围运行能力,通过交错技术进一步优化了性能。

解读: 该技术提出的高效率、宽增益范围的单级谐振变换器,对阳光电源的储能变流器(PCS)及户用光伏逆变器产品线具有重要参考价值。其负载无关的电压增益特性有助于简化控制策略,提升在宽电池电压范围下的转换效率。建议研发团队评估该多绕组耦合电感拓扑在PowerStack或户用储能系统中的应用潜力,以进一步减小磁性...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 3.0

用于脉冲应用的碳化硅堆叠电容变换器

SiC Stacked-Capacitor Converters for Pulse Applications

Xiaoyong Ren · Zhi-Wei Xu · Ke Xu · Zhiliang Zhang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年5月

脉冲功率变换器在高温及强辐射环境下对高压大电流波形有严苛要求,通常需50%-75%的电压降额。碳化硅(SiC)MOSFET凭借宽禁带特性在提升辐射可靠性方面展现出巨大潜力。本文探讨了传统变换器在极端环境下的局限性,并提出了基于SiC器件的堆叠电容变换器解决方案。

解读: 该研究关注SiC器件在极端环境(高温、辐射)下的可靠性及高压脉冲应用,对阳光电源的功率器件选型及高可靠性设计具有参考价值。虽然阳光电源的核心业务(光伏、储能)主要面向民用及工业环境,但该技术对于提升PowerTitan等大型储能系统在极端气候或特殊工业场景下的功率密度和器件耐受性有借鉴意义。建议研发...

系统并网技术 储能变流器PCS 储能系统 并网逆变器 ★ 3.0

复合直流潮流控制器

Composite DC Power Flow Controller

Xu Zhong · Miao Zhu · Yongning Chi · Siqi Liu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年4月

本文提出了一种新型“复合直流潮流控制器(CDCPFC)”概念,旨在多端高压直流输电(MTDC)系统中提升有功功率分配能力与协调控制性能。文章阐述了其通用构建原则,为复杂直流电网的功率流控制提供了新的技术路径。

解读: 该技术主要针对高压直流输电(HVDC)领域,虽然与阳光电源目前的组串式/集中式逆变器及PowerTitan储能系统在电压等级上存在差异,但其核心的“直流潮流控制”理念对未来大型光储电站的直流汇集系统具有借鉴意义。在大型地面光伏电站或多端直流微电网场景下,该控制策略可优化多台PCS或逆变器之间的功率分...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

具有稳定阈值电压和显著降低界面态密度的Al2O3/原位生长GaON栅介质GaN MIS-HEMT

Al2O3/ _in situ_ GaON gate dielectrics incorporated GaN MIS-HEMTs with stable VTH and significantly reduced interface state density

Tian Luo · Sitong Chen · Ji Li · Fang Ye 等7人 · Applied Physics Letters · 2025年2月 · Vol.126

本文报道了一种采用Al2O3与原位生长GaON复合栅介质的GaN基金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)。该结构通过原子层沉积Al2O3与氮等离子体原位处理形成的高质量GaON界面层,有效抑制了界面态密度。实验结果表明,器件具备稳定的阈值电压(VTH)和显著降低的界面态密度,提升了动态可靠性与开关性能。该方法为高性能GaN功率器件的栅介质优化提供了可行方案。

解读: 该GaN MIS-HEMT栅介质优化技术对阳光电源的高频化产品升级具有重要价值。稳定的阈值电压和低界面态密度特性可显著提升GaN器件在SG系列1500V组串式逆变器和ST系列储能变流器中的开关性能和可靠性。特别是在高频PWM控制场景下,可减少开关损耗,提高系统效率。这一技术可用于优化新一代车载OBC...

拓扑与电路 多电平 并网逆变器 弱电网并网 ★ 4.0

基于信号流图的MMC导纳模型简化

MMC Admittance Model Simplification Based on Signal-Flow Graph

Zigao Xu · Binbin Li · Shengyuan Li · Xiongfei Wang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月

本文针对模块化多电平变换器(MMC)内部谐波建模问题,提出了基于信号流图(SFG)的简化方法。通过推导解析传递函数,定量评估了模型中所需包含的谐波阶数,有效解决了MMC复杂阻抗/导纳模型在工程应用中计算量过大的难题,为高压大功率并网系统提供了更高效的稳定性分析工具。

解读: MMC技术是阳光电源在大型地面光伏电站及高压直流输电领域的重要技术储备。该文章提出的信号流图简化建模方法,能显著降低MMC在弱电网环境下阻抗建模的计算复杂度,有助于提升阳光电源集中式逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)在复杂电网环境下的稳定性分析效率。建议研发团队将此简化模型集成至iS...

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