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光伏发电技术 ★ 5.0

AgBiI4中理论缺陷工程以提升光伏性能

Theoretical defect engineering in AgBiI4 for enhanced photovoltaic performance

作者 Quanhe Yan · Haoze Li · Zhongyi Luo · Haoyu Cao
期刊 Applied Physics Letters
出版日期 2025年1月
卷/期 第 127 卷 第 4 期
技术分类 光伏发电技术
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 AgBiI4 理论缺陷工程 光伏性能 提高 应用物理快报
语言:

中文摘要

本文通过第一性原理计算研究了AgBiI4中的缺陷性质,并提出缺陷工程策略以提升其光伏性能。结果表明,通过调控合成条件可有效抑制深能级缺陷的形成,增强载流子寿命与迁移率。掺杂研究表明,适量Cu替代Ag或Sb替代Bi可优化载流子浓度并降低缺陷态密度。此外,碘空位的容忍性较高,有利于器件制备过程中的稳定性。本工作为AgBiI4基太阳能电池的材料设计与性能优化提供了理论指导。

English Abstract

Quanhe Yan, Haoze Li, Zhongyi Luo, Haoyu Cao, Rasha A. Awni, Run Xu, Weiwei Meng, Fei Xu, Feng Hong; Theoretical defect engineering in AgBiI4 for enhanced photovoltaic performance. _Appl. Phys. Lett._ 28 July 2025; 127 (4): 042101.
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SunView 深度解读

该AgBiI4缺陷工程研究为阳光电源光伏产品提供了材料层面的理论指导。研究中通过Cu/Sb掺杂优化载流子浓度、抑制深能级缺陷的策略,可应用于SG系列光伏逆变器的上游组件材料选型与供应链质量管控。碘空位容忍性高的发现对提升组件长期稳定性具有参考价值,有助于优化iSolarCloud平台的衰减预测模型。缺陷态密度控制与载流子寿命提升的理论方法,可为光伏电池效率提升提供材料筛选依据,间接支撑MPPT算法在低辐照条件下的转换效率优化,增强SG逆变器在复杂工况下的发电性能。