找到 4 条结果

排序:
拓扑与电路 GaN器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

基于准方波零电压开关滞环电流控制的高效通信功率转换

Efficient Talkative Power Conversion With Quasi-Square-Wave Zero-Voltage Switching Hysteretic Current Control

Stefan Mönch · Carsten Kuring · Xiaomeng Geng · Peter A. Hoeher 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年10月

本文提出了一种改进的模拟滞环电流控制方法,在无需额外硬件的情况下,通过将数据注入功率变换器的控制信号,实现了功率与数据的同步传输。研究以半桥GaN变换器为例,验证了该方法在保持99.1%高效率的同时,实现了高效的准方波零电压开关(ZVS)性能。

解读: 该技术通过控制信号实现功率与数据同步传输,无需额外硬件,对阳光电源的户用光伏逆变器及微型逆变器产品具有重要参考价值。随着GaN器件在小型化、高频化产品中的普及,该方案有助于优化电路拓扑,提升功率密度。建议研发团队关注其在iSolarCloud智能运维平台数据回传中的潜在应用,通过功率链路实现设备状态...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

一种采用双栅极的单片双向GaN-on-AlN/SiC功率晶体管的特性与运行

Characteristics and Operation of a Monolithic Bidirectional GaN-on-AlN/SiC Power Transistor Employing Dual-Gate

Xiaomeng Geng · Mihaela Wolf · Carsten Kuring · Nick Wieczorek 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月

本文展示了一种新型650 V/110 mΩ单片双向GaN-on-AlN/SiC开关,该器件采用双肖特基栅极结构,具备背栅抗扰性,可实现无性能损耗的片上集成。单片双向GaN开关(MBDS)在需要双向电压阻断能力的变换器拓扑中展现出巨大潜力。

解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及微型逆变器产品线具有重要意义。GaN单片双向开关能显著简化双向DC-DC变换器拓扑,减少器件数量,从而提升功率密度并降低系统体积。对于追求极致轻量化和高效率的户用储能及充电桩应用,该器件可有效降低开关损耗。建议研发团队关注其在双向功率流控制中的可靠性表现,并评估其在...

功率器件技术 GaN器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

基于高压氮化铝陶瓷基板集成的氮化镓多芯片半桥功率模块

GaN-Based Multichip Half-Bridge Power Module Integrated on High-Voltage AlN Ceramic Substrate

Carsten Kuring · Mihaela Wolf · Xiaomeng Geng · Oliver Hilt 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年10月

本文提出了一种集成两个600V/170mΩ氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管的半桥功率模块。该设计通过集成栅极驱动级和部分直流母线电容,有效降低了寄生电路参数,并利用高压氮化铝(AlN)陶瓷基板实现了高效的散热方案,旨在提升电力电子系统的效率与功率密度。

解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及小型化储能系统(如PowerStack)具有重要参考价值。随着功率密度要求的提升,GaN器件在小功率段的应用趋势明显。通过采用AlN基板和集成化设计,可显著降低寄生电感,提升开关频率,从而减小被动元件体积。建议研发团队关注该模块的散热集成方案,将其应用于下一代高频、...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

关于单片集成GaN-on-AlN/SiC晶体管的实验研究

Experimental Investigation of GaN-on-AlN/SiC Transistors With Regard to Monolithic Integration

Xiaomeng Geng · Nick Wieczorek · Mihaela Wolf · Carsten Kuring 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月

本文介绍了新型GaN-on-AlN/SiC功率HEMT器件。相比传统的GaN-on-Si HEMT,该器件有效克服了公共衬底引起的背栅效应,显著提升了器件性能,为实现功率器件的单片集成提供了技术路径。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及电动汽车充电桩领域对高功率密度和小型化的追求,GaN器件的应用至关重要。该研究提出的GaN-on-AlN/SiC技术通过抑制背栅效应,解决了单片集成中的关键瓶颈,有助于进一步减小逆变器及充电模块的体积,提升开关频率。建议研发团队关注该技术在下一代高频、高效率功率模块中的...