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功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

具有闭环时序控制和栅极传感技术的碳化硅功率器件通用有源栅极驱动IC

Universal Active Gate Driver IC With Closed-Loop Timing Control and Gate-Sensing Technique for Silicon Carbide Power Devices

Chia-Wei Kuo · Ting-Wei Wang · Ling-Chia Chen · Chang-Ching Tu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月

碳化硅(SiC)功率MOSFET在高性能系统中需求日益增长,但其高开关速度带来的电压过冲、振荡及电磁干扰(EMI)问题亟待解决。本文提出了一种通用有源栅极驱动(AGD)IC,通过闭环时序控制和栅极传感技术,在抑制过冲与优化开关损耗之间实现了更好的平衡。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着PowerTitan系列储能系统及组串式光伏逆变器向更高功率密度和更高开关频率演进,SiC器件的应用已成趋势。该有源栅极驱动IC能有效解决SiC在高频开关下的振荡与EMI难题,有助于提升逆变器及PCS的效率,同时降低滤波器体积。建议研发团队关注该闭...

拓扑与电路 光伏逆变器 并网逆变器 多电平 ★ 4.0

串联电流源逆变器:开关频率 = 60 Hz

Series-Connected Current-Source Inverters: fSW = 60 Hz

Ling Xing · Qiang Wei · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年9月

脉宽调制串联电流源逆变器(SC-CSI)是高压应用场景的理想选择。本文提出了一种开关频率为60 Hz的新型SC-CSI。与传统拓扑相比,该逆变器具有开关损耗更低、直流电流利用率更高以及被动元件尺寸更小等优势。

解读: 该技术针对高压应用场景,通过极低的开关频率优化了损耗与被动元件尺寸,这对于阳光电源的大型地面电站集中式逆变器及中高压并网系统具有参考价值。虽然目前主流光伏逆变器多采用电压源型拓扑,但该电流源型拓扑在特定高压直流接入或大功率工业驱动场景中,能有效降低散热成本并提升系统功率密度。建议研发团队关注其在超高...

拓扑与电路 MPPT 光伏逆变器 户用光伏 ★ 3.0

具有P&O最大功率点跟踪电路和新型脉冲乘法器的光伏能量采集芯片

Photovoltaic Energy Harvesting Chip With P&O Maximum Power Point Tracking Circuit and Novel Pulse-Based Multiplier

Jian-Zhou Yan · Wei-Han Pan · Hung-Hsien Wu · Tien Hsu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年11月

本文提出了一种用于物联网应用的光伏能量采集芯片,集成了一种基于新型脉冲乘法器的扰动观察法(P&O)MPPT电路。该设计无需高功耗微控制器或低精度模拟乘法器,仅依靠小型光伏组件即可供电,实现了高效、高精度的最大功率点跟踪。

解读: 该研究提出的低功耗MPPT控制电路及脉冲乘法器技术,对阳光电源的户用光伏及微型逆变器产品线具有参考价值。在追求极致轻量化和低待机功耗的物联网(IoT)光伏应用场景中,该芯片级集成方案有助于进一步提升小型光伏系统的转换效率。建议研发团队关注其脉冲乘法器在降低控制电路静态功耗方面的潜力,探索将其集成至新...

风电变流技术 PWM控制 拓扑与电路 并网逆变器 ★ 4.0

基于PWM电流源变换器的风能转换系统

A PWM Current-Source Converter-Based Wind Energy Conversion System

Ling Xing · Qiang Wei · Yunwei Li · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年2月

电流源变换器(CSC)是串联风能转换系统(WECS)的理想选择。针对现有CSC在发电机定子电流谐波、变压器体积、应用局限性及调制复杂性方面的不足,本文提出了一种新型CSC拓扑,旨在优化风电系统的转换效率与控制性能。

解读: 该研究聚焦于电流源变换器(CSC)在风电变流器中的应用,对于阳光电源风电变流器产品线具有重要的技术参考价值。CSC拓扑在处理高压大功率风电并网时具有天然优势,通过优化PWM调制策略和降低谐波,可提升变流器的功率密度和电网适应性。建议研发团队关注该拓扑在降低系统体积(减少低频变压器依赖)方面的潜力,这...

拓扑与电路 三相逆变器 多电平 功率模块 ★ 3.0

减少开关管数量的串联电流源逆变器

Series-Connected Current Source Inverters With Less Switches

Ling Xing · Qiang Wei · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年6月

针对现有串联电流源逆变器(SC-CSI)开关管数量过多的问题,本文提出了一种新型拓扑结构。通过开发配套的调制策略和独特的变压器配置,实现了该拓扑的有效运行。实验验证了该方案在减少开关器件数量方面的可行性与性能。

解读: 该研究提出的减少开关管数量的电流源逆变器拓扑,对于阳光电源的组串式及集中式光伏逆变器具有一定的参考价值。在追求高功率密度和低成本的趋势下,减少开关器件数量有助于降低系统损耗并提升可靠性。然而,电流源逆变器(CSI)在光伏并网中应用较少,主要受限于直流侧电感体积及控制复杂性。建议研发团队关注该拓扑在特...

拓扑与电路 多电平 并网逆变器 功率模块 ★ 4.0

无变压器串联电流源变换器

Transformerless Series-Connected Current Source Converter

Ling Xing · Qiang Wei · Yunwei Li · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年8月

串联电流源变换器(SC-CSC)适用于高功率、中高压应用,但传统方案依赖笨重且昂贵的变压器。本文提出了一种无变压器SC-CSC拓扑,阐述了其工作原理并开发了相应的调制策略,通过案例研究验证了该拓扑的性能。

解读: 该技术在无变压器化和高压化方面的突破,对阳光电源的集中式光伏逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要参考价值。通过消除变压器,可显著降低系统体积、重量及成本,提高功率密度。建议研发团队关注该拓扑在高压直流接入场景下的效率表现,评估其在大型地面光伏电站或电网侧储能PCS中的应用潜力,...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

集成栅极电压检测技术的SiC MOSFET有源栅极驱动IC

Active Gate Driver IC Integrating Gate Voltage Sensing Technique for SiC MOSFETs

Ting-Wei Wang · Ling-Chia Chen · Makoto Takamiya · Po-Hung Chen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年7月

碳化硅(SiC)MOSFET凭借高开关速度和低导通损耗优于传统硅器件。然而,高频开关易引发过冲、振荡及电磁干扰(EMI)问题。传统栅极驱动器因驱动强度固定,难以平衡过冲与开关损耗。本文提出一种集成栅极电压检测技术的有源栅极驱动IC,旨在优化SiC MOSFET的开关性能。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着公司组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度和高频化演进,SiC器件的应用已成为主流。该有源栅极驱动技术能有效抑制SiC高频开关带来的电压尖峰与EMI,在提升系统效率的同时,显著增强功率模块的可靠性。建议研发团队关注该...

拓扑与电路 多电平 PWM控制 并网逆变器 ★ 4.0

基于移相SPWM的单源五电平电流源逆变器调制策略

Phase-Shifting SPWM-Based Modulation for Single-Source Five-Level Current Source Inverter

Ling Xing · Qiang Wei · Yunwei Li · Yan-Fei Liu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月

本文针对一种新型单源五电平电流源逆变器(CSI),提出了一种移相SPWM调制策略。该策略旨在解决如何在低开关频率下实现五电平输出并获得优异谐波性能的挑战,填补了该拓扑在调制技术研究方面的空白。

解读: 该研究涉及的多电平电流源逆变器(CSI)拓扑在提升输出电能质量和降低开关损耗方面具有潜力,与阳光电源的组串式及集中式光伏逆变器技术路线相关。多电平技术是实现高功率密度和高效率的关键,该调制策略有助于优化逆变器在并网过程中的谐波抑制能力,降低滤波器体积。建议研发团队关注该拓扑在大型地面电站逆变器中的应...

系统并网技术 风光储 弱电网并网 构网型GFM ★ 4.0

风电渗透率对风火打捆输电系统的影响

Impact of Wind Power Penetration on Wind–Thermal-Bundled Transmission System

Ling Xiang · Hao-Wei Zhu · Yue Zhang · Qing-Tao Yao 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年12月

本文探讨了高风电渗透率下风火打捆输电系统的稳定性问题。重点分析了通过高压直流(HVDC)系统传输时,风能渗透率对系统扭振特性及电气特性的影响,为提升大规模新能源接入电网的稳定性提供了理论支撑。

解读: 该研究关注大规模新能源接入后的电网稳定性,与阳光电源风电变流器及大型储能系统(PowerTitan系列)的并网控制策略高度相关。随着风火打捆及高比例新能源接入,电网强度减弱,阳光电源应持续优化变流器的构网型(GFM)控制技术及虚拟同步机(VSG)算法,以应对高渗透率下的次同步振荡及频率稳定性挑战。建...

拓扑与电路 光伏逆变器 多电平 并网逆变器 ★ 5.0

一种基于电流源逆变器的高功率中压光伏系统

A Practical Current Source Inverter-Based High-Power Medium-Voltage PV System

Ling Xing · Qiang Wei · Yunwei Li · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年2月

当前兆瓦级中压光伏系统多依赖工频变压器,存在体积大、成本高的问题。级联H桥及模块化多电平变换器虽可省去变压器,但面临技术挑战。本文提出一种实用的基于电流源逆变器(CSI)的中压光伏系统方案,旨在优化高功率光伏发电的拓扑结构与系统效率。

解读: 该研究探讨的无变压器中压光伏拓扑对阳光电源的集中式逆变器及大型地面电站解决方案具有重要参考价值。随着光伏系统向更高电压等级和更高功率密度演进,减少工频变压器使用是降低系统BOS成本的关键。阳光电源可评估该电流源逆变器拓扑在兆瓦级电站中的应用潜力,特别是针对大型集中式逆变器(如SG系列)的下一代架构升...

拓扑与电路 PWM控制 空间矢量调制SVPWM 三相逆变器 ★ 3.0

四开关四桥臂逆变器的研究:调制、控制及其在IPMSM驱动中的应用

Investigation of a Four-Switch Four-Leg Inverter: Modulation, Control, and Application to an IPMSM Drive

Wei Li · Shengxiexian Xuan · Qiang Gao · Ling Luo · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年6月

本文研究了一种基于新型四开关逆变器的永磁同步电机(PMSM)驱动系统。该拓扑结构无需死区插入或补偿,避免了上下桥臂直通风险。文中开发了两种空间矢量脉宽调制(SVPWM)方法,有效抑制了零序电压和电流,提升了系统性能。

解读: 该研究提出的四开关逆变器拓扑通过取消死区时间,在理论上提升了逆变效率并降低了控制复杂性。对于阳光电源而言,该技术主要关联电动汽车充电桩及电机驱动相关的辅助电源系统。虽然阳光电源的核心业务(光伏逆变器、储能PCS)多采用标准的三相六开关或多电平拓扑以保证高功率密度和电能质量,但该研究中关于“无死区调制...

功率器件技术 功率模块 宽禁带半导体 IGBT ★ 4.0

高压直流输电系统中的功率半导体综述:历史回顾、现状分析与未来展望

A Comprehensive Overview of Power Semiconductors in HVDC Transmission System: Historical Review, Present Analysis, and Future Prospects

Xiaoguang Wei · Xinling Tang · Liang Wang · Jingfei Wang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

本文综述了高压直流(HVDC)输电系统中功率半导体器件的发展历程、现状及未来趋势。相比中低压应用,HVDC领域对器件的设计与工程应用要求极高。文章探讨了器件演进与HVDC系统架构之间的深层联系,为高性能功率转换提供了技术参考。

解读: HVDC技术是大型光伏电站及风电场并网的核心支撑。阳光电源在集中式逆变器及大型储能系统(如PowerTitan)中,对高压功率模块的选型与可靠性要求极高。本文关于功率半导体器件演进的分析,有助于公司优化大功率变流器中的IGBT及未来宽禁带半导体应用策略。建议研发团队关注高压器件在复杂电网环境下的热管...

拓扑与电路 DC-DC变换器 功率模块 ★ 4.0

具有平滑模式切换的98.1%效率滞环电流模式非反相Buck-Boost DC-DC变换器

98.1%-Efficiency Hysteretic-Current-Mode Noninverting Buck–Boost DC-DC Converter With Smooth Mode Transition

Xiang-En Hong · Jian-Fu Wu · Chia-Ling Wei · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年3月

非反相Buck-Boost DC-DC变换器可在Buck、Boost或Buck-Boost模式下工作,适用于输入电压波动范围大的场景。针对传统四管拓扑因额外开关损耗导致的效率降低问题,本文提出了一种高效率滞环电流控制方案,实现了模式间的平滑过渡,显著提升了变换效率。

解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及储能系统(如PowerStack)具有重要参考价值。在光伏组串电压波动大或电池电压范围宽的应用场景中,非反相Buck-Boost拓扑是提升系统效率的关键。通过优化滞环电流控制与模式切换逻辑,可进一步降低开关损耗,提升整机效率。建议研发团队关注该平滑切换技术,以优化i...

拓扑与电路 DC-DC变换器 PWM控制 ★ 3.0

具有近阈值启动电压和高效率的自适应峰值电感电流控制PFM升压转换器

Adaptive Peak-Inductor-Current-Controlled PFM Boost Converter With a Near-Threshold Startup Voltage and High Efficiency

Hung-Hsien Wu · Chia-Ling Wei · Yu-Chen Hsu · Robert B. Darling · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年4月

本文提出了一种采用自适应峰值电感电流(APIC)控制方法的高效率Boost DC-DC转换器,并设计了一种新型两步启动程序。该转换器基于0.18μm混合信号工艺制造,芯片面积为0.96mm×0.75mm,旨在实现极低电压下的高效升压转换。

解读: 该研究聚焦于低压启动与高效率DC-DC变换技术,对阳光电源的户用光伏逆变器及微型逆变器产品线具有参考价值。在户用场景中,实现极低电压下的快速启动和高效率转换,能有效提升系统在弱光条件下的发电时长与整体效率。此外,其两步启动策略对于优化储能系统(如PowerStack)中的辅助电源模块设计具有借鉴意义...

电动汽车驱动 PWM控制 ★ 5.0

基于移相SPWM的单源五电平电流源逆变器调制方法

Phase-Shifting SPWM-Based Modulation for Single-Source Five-Level Current Source Inverter

Ling Xing · Qiang Wei · Yunwei Li · Yan-Fei Liu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月

摘要:近期有人提出了一种具有固有电流平衡特性且开关数量较少的单电源五电平电流源逆变器(CSI)。实现五电平输出并在低开关频率下具备优异谐波性能的该逆变器调制方案仍是一项挑战,目前尚未得到探索。相移正弦脉冲宽度调制(SPWM)是一种成熟的技术,能在低开关频率下实现优异的谐波性能。尽管有这些优点,但由于单电源五电平 CSI 的独特单电源拓扑结构,相移 SPWM 技术无法应用于该逆变器。在本研究中,明确了将相移 SPWM 应用于单电源五电平 CSI 所面临的挑战,并为单电源五电平 CSI 开发了一种基...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项单源五电平电流源逆变器(CSI)的相移SPWM调制技术具有重要的战略价值。该技术通过创新的调制方案实现了五电平输出,同时在低开关频率下保持优异的谐波性能,这直接契合我们在光伏逆变器和储能系统领域对高效率、低损耗的核心需求。 技术优势方面,单源拓扑结构减少了开关器件数量...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

通过应力工程增强柔性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管阵列的电学性能

Enhanced electrical properties of flexible AlGaN/GaN HEMT arrays via stress engineering

Xiu Zhang · Wei Ling · Junchen Liu · Hu Tao 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年8月 · Vol.127

宽禁带半导体因其优异的电学与机械特性,在柔性电子器件中展现出巨大潜力。本文报道了通过深硅刻蚀和晶圆级衬底转移工艺制备的柔性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)阵列。器件在_VGS_=1 V时实现最高饱和漏极电流密度达166.5 mA/mm,在_VDS_=5 V时峰值跨导为42.6 mS/mm,并表现出良好的抗机械变形能力。此外,在面内拉伸应变下,器件性能进一步提升,归因于应变诱导的压电极化调控AlGaN/GaN异质界面二维电子气密度。该结果凸显HEMT在下一代柔性电子,尤其是生物电子...

解读: 该柔性GaN HEMT技术对阳光电源功率器件应用具有前瞻价值。研究中应力工程调控二维电子气密度提升器件性能的机制,可为ST系列储能变流器和SG逆变器中GaN器件的封装应力优化提供理论指导,通过合理设计功率模块封装结构实现应变调控以提升开关特性。柔性HEMT阵列的抗机械变形能力对新能源汽车OBC和电机...