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功率器件技术 功率模块 宽禁带半导体 IGBT 多电平 ★ 4.0

高压直流输电系统中的功率半导体综述:历史回顾、现状分析与未来展望

A Comprehensive Overview of Power Semiconductors in HVDC Transmission System: Historical Review, Present Analysis, and Future Prospects

作者 Xiaoguang Wei · Xinling Tang · Liang Wang · Jingfei Wang · Yaohua Wang · Ling Li · Yujie Du · Anqi Dai
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2026年4月
技术分类 功率器件技术
技术标签 功率模块 宽禁带半导体 IGBT 多电平
相关度评分 ★★★★ 4.0 / 5.0
关键词 HVDC 功率半导体 功率变换 高压 器件设计 工程应用
语言:

中文摘要

本文综述了高压直流(HVDC)输电系统中功率半导体器件的发展历程、现状及未来趋势。相比中低压应用,HVDC领域对器件的设计与工程应用要求极高。文章探讨了器件演进与HVDC系统架构之间的深层联系,为高性能功率转换提供了技术参考。

English Abstract

Power semiconductors are the core of power conversion in high-voltage direct current (HVDC) transmission system. Compared with medium- and low-voltage applications, the device's design and engineering application are relatively lagging. This article starts from the historical overview of HVDC transmission systems and power semiconductor devices, establishing a connection between the devices and tr...
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SunView 深度解读

HVDC技术是大型光伏电站及风电场并网的核心支撑。阳光电源在集中式逆变器及大型储能系统(如PowerTitan)中,对高压功率模块的选型与可靠性要求极高。本文关于功率半导体器件演进的分析,有助于公司优化大功率变流器中的IGBT及未来宽禁带半导体应用策略。建议研发团队关注高压器件在复杂电网环境下的热管理与可靠性设计,以提升公司在大型地面电站及电网侧储能项目中的系统效率与稳定性,保持在电力电子转换领域的领先地位。