找到 25 条结果

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拓扑与电路 DAB 双向DC-DC 储能变流器PCS ★ 5.0

一种低电流水平与宽ZVS范围的双有源桥变换器综合优化调制方案

Comprehensive Optimization Modulation Scheme of Low Current Level and Wide ZVS Range for Dual Active Bridge Converter With Dead-Zone Control

Jia Li · Quanming Luo · Di Mou · Yuqi Wei 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年3月

针对双有源桥(DAB)变换器在轻载下效率低及死区效应导致的软开关(ZVS)范围受限问题,本文提出了一种综合优化调制方案。通过引入死区补偿控制并优化调制策略,在降低电流应力的同时,显著拓宽了ZVS实现范围,提升了变换器在全功率范围内的运行效率。

解读: 该技术对阳光电源的储能业务(如PowerTitan、PowerStack系列及ST系列PCS)具有极高的应用价值。DAB拓扑是双向储能变流器的核心电路,该研究提出的宽ZVS范围调制方案能有效降低PCS在轻载工况下的损耗,提升系统全生命周期效率。同时,针对死区效应的优化有助于提升高频化设计下的功率密度...

拓扑与电路 PWM控制 功率模块 ★ 2.0

一种针对超声换能器负载波动的抗扰匹配方法

A High-Tolerance Matching Method Against Load Fluctuation for Ultrasonic Transducers

Jin-Dong Wang · Jia-Jia Jiang · Fa-Jie Duan · Shuo-Ya Cheng 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年1月

声学负载的波动会显著削弱超声系统的性能。为简化解决该问题,本文考虑了与超声换能器性能相关的主要输入输出变量,并提出了一种基于仅含一个电容和一个电感的简单LC匹配网络的详细数学模型,通过该模型确定了新的谐振频率。

解读: 该文献研究的LC阻抗匹配与谐振频率调节技术,在电力电子拓扑设计中具有通用参考价值。虽然超声换能器与阳光电源的核心产品(光伏逆变器、储能PCS)应用场景不同,但其针对负载波动提出的鲁棒性匹配方法,可为阳光电源在研发高频DC-DC变换器或特定工业电源模块时,优化谐振电路设计、提升复杂工况下的系统稳定性提...

氢能与燃料电池 储能系统 功率模块 拓扑与电路 ★ 5.0

一种用于提高碱性水电解槽效率的多模式自优化电解转换策略

A Multimode Self-Optimization Electrolysis Converting Strategy for Improving Efficiency of Alkaline Water Electrolyzers

Jia Xiong · Yanghong Xia · Yonggang Peng · Wei Wei · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年3月

碱性水电解槽(AWE)因成本低、技术成熟被广泛用于工业制氢。但其低负载效率低导致运行范围窄(通常为额定功率的40%-100%),难以适应光伏发电的宽范围波动。本文提出一种多模式自优化电解转换策略,旨在拓宽AWE运行范围并提升系统整体效率,以更好地匹配波动性光伏电源。

解读: 该研究直接契合阳光电源“光伏+氢能”的战略布局。阳光电源作为绿氢系统解决方案供应商,其电解槽电源(制氢电源)需应对光伏发电的强波动性。该多模式自优化策略可直接应用于阳光电源的电解槽电源系统,通过优化功率变换拓扑与控制算法,提升电解槽在低负载下的转换效率,有效解决光伏制氢系统在阴雨天或早晚时段的效率瓶...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 4.0

氮化镓高电子迁移率晶体管

GaN-based HEMTs)击穿特性表征方法分析

Sheng Lei Zhao · Bin Hou · Wei Wei Chen · Min Han Mi 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年2月

本文通过研究关断状态漏电流和击穿曲线,分析了GaN HEMT的击穿特性表征方法。研究发现,在七种常规击穿曲线中,仅有两种能通过传统三端击穿表征方法合理呈现,并针对其余五种击穿类型进行了深入探讨。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化充电桩领域对功率密度要求的不断提升,GaN器件的应用成为关键技术趋势。本文提出的击穿特性表征方法,对于优化阳光电源功率模块的选型、提升高频变换器的可靠性设计具有重要参考价值。建议研发团队将此表征方法引入GaN器件的入库测试与失效分析流程中,以更精准地评估器件在极端...

拓扑与电路 ★ 4.0

准原位再沉积实现NiFe基

氧)氢氧化物在高OER电流密度下的稳定化

Hui Wan · Jianhang Nie · Fernandez Rivas · Schulze Greiving 等6人 · Applied Physics Letters · 2025年4月 · Vol.126

本文报道了一种通过准原位再沉积策略稳定NiFe基(氧)氢氧化物电催化剂的方法,有效抑制其在高析氧反应(OER)电流密度下的溶解失活。实验结合电化学与材料表征手段,证实该方法可实现活性组分的动态修复与结构重构,显著提升催化剂的长期稳定性。该机制为设计高效、耐用的OER催化剂提供了新思路。

解读: 该NiFe基催化剂稳定化技术对阳光电源氢能业务具有重要参考价值。在电解水制氢系统中,析氧反应(OER)是核心环节,高电流密度下催化剂的稳定性直接影响电解槽寿命和制氢效率。准原位再沉积策略实现的动态修复机制,可启发阳光电源开发更耐用的电解槽电极材料,降低系统维护成本。该技术可应用于光伏制氢一体化方案,...

氢能与燃料电池 模型预测控制MPC 充电桩 ★ 3.0

基于自适应模型预测控制的燃料电池混合动力汽车实时能量管理

Adaptive Model-Predictive-Control-Based Real-Time Energy Management of Fuel Cell Hybrid Electric Vehicles

Chao Jia · Wei Qiao · Junwei Cui · Liyan Qu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年2月

为提升燃料电池混合动力汽车(FCHEVs)的燃油经济性并延长燃料电池寿命,本文提出了一种基于自适应模型预测控制(AMPC)的实时能量管理策略。该方法通过优化功率分配,有效平衡了系统效率与燃料电池的退化问题,为氢能交通领域的能量管理提供了先进的控制方案。

解读: 该研究涉及的能量管理策略(EMS)与阳光电源的氢能业务及电动汽车充电桩业务具有技术关联。虽然阳光电源目前侧重于电解槽电源及充电桩硬件,但文中提出的AMPC控制算法可优化氢能系统与储能系统的协同运行,提升系统整体效率。建议研发团队关注该算法在氢能制储用一体化系统中的应用,通过优化功率分配策略,提升阳光...

拓扑与电路 DC-DC变换器 双向DC-DC 储能变流器PCS ★ 5.0

一种用于CLLC变换器的最小化RMS电流的最优VF-TPS调制方案

An Optimal VF-TPS Modulation Scheme for CLLC Converter With Minimized RMS Current

Ting Luo · Quanming Luo · Miaomiao Yin · Jia Li 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年3月

CLLC变换器因其高效率、高功率密度和低电磁干扰,成为隔离型双向DC-DC变换器的主流拓扑。针对传统脉冲频率调制(PFM)在轻载下效率下降及电压调节困难的问题,本文提出了一种最优VF-TPS调制方案,旨在通过优化调制策略实现CLLC变换器在全负载范围内的RMS电流最小化,从而提升系统整体效率。

解读: 该研究直接关联阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack系列)及电动汽车充电桩业务。CLLC作为双向DC-DC变换器的核心拓扑,广泛应用于储能变流器(PCS)的直流侧隔离级。通过引入VF-TPS优化调制方案,可有效降低变换器在宽电压范围和轻载工况下的损耗,显著提升阳光电源储能产...

拓扑与电路 DAB 双向DC-DC 储能变流器PCS ★ 5.0

双有源桥变换器的时域周期稳态分析模型

A Periodic-Steady-State Analysis Model in Time Domain for Dual Active Bridge Converter

Di Mou · Quanming Luo · Yuqi Wei · Jia Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年4月

本文提出了一种针对双有源桥(DAB)变换器的多时间尺度建模方法。通过结合理想稳态过程与有限开关瞬态过程,提高了分析的准确性。文章推导了五自由度调制DAB变换器在所有运行模式下的状态方程,为优化变换器性能提供了理论支撑。

解读: DAB变换器是阳光电源储能系统(如PowerTitan、PowerStack系列)及直流耦合光储一体化方案中的核心DC-DC拓扑。该文献提出的高精度时域建模方法,能够更准确地捕捉开关瞬态过程,有助于优化PCS的软开关控制策略,提升变换效率并降低损耗。建议研发团队将其应用于PCS的损耗分析与控制算法改...

拓扑与电路 DC-DC变换器 PWM控制 ★ 4.0

一种具有峰值无源纹波模式控制和交流耦合的快速瞬态升压变换器

A Fast-Transient Boost Converter With Peak Passive Ripple Mode Control and AC Couple

Yi-Rong Huang · Ching-Jan Chen · Jia-Cheng Wu · Tsung-Wei Huang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年10月

峰值电流模式(PCM)控制常用于升压变换器以提升带宽,但电感电流斜率限制了负载瞬态响应。本文提出了一种峰值无源纹波模式(PPRM)控制与交流耦合技术,旨在解决负载瞬态下的输出电压偏差大及调节时间长的问题,显著提升了变换器的动态性能。

解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及储能系统(如ST系列PCS)中的DC-DC升压环节具有重要参考价值。在光伏组串式逆变器中,光照突变或负载波动会导致母线电压波动,影响MPPT效率。采用PPRM控制技术可显著缩短动态响应时间,减小输出电压超调,从而提升系统在复杂工况下的稳定性。建议研发团队评估该控制策...

拓扑与电路 DAB 双向DC-DC 储能变流器PCS ★ 5.0

双有源桥DC-DC变换器的五自由度调制方案

Five-Degree-of-Freedom Modulation Scheme for Dual Active Bridge DC–DC Converter

Di Mou · Quanming Luo · Jia Li · Yuqi Wei 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年9月

本文针对双有源桥(DAB)变换器提出了一种五自由度(5-DOF)调制方案,旨在提升其在宽运行范围内的效率。文章分析了5-DOF下的11种有效运行模式,并推导了包括电感电流有效值在内的稳态特性表达式。

解读: DAB变换器是阳光电源储能系统(如PowerTitan、PowerStack系列)中DC-DC级核心拓扑。该5-DOF调制方案通过增加控制自由度,能有效降低变换器在宽电压范围下的开关损耗和导通损耗,显著提升储能系统在充放电过程中的循环效率。建议研发团队评估该算法在DSP/FPGA上的计算复杂度,将其...

功率器件技术 IGBT 功率模块 故障诊断 ★ 5.0

一种具有温度补偿集电极电流检测功能的智能IGBT栅极驱动IC

A Smart IGBT Gate Driver IC With Temperature Compensated Collector Current Sensing

Jingxuan Chen · Wei Jia Zhang · Andrew Shorten · Jingshu Yu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年5月

传统的IGBT电流检测与保护技术通常依赖分流电阻等分立传感器,且需接入高压侧,集成难度大。本文提出了一种集成集电极电流检测电路与片上CPU的智能IGBT栅极驱动IC,实现了电流的精确感知与温度补偿,有效提升了功率模块的集成度与保护性能。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统及风电变流器)具有极高的应用价值。通过将电流检测与保护逻辑集成至驱动IC,可显著缩小功率模块体积,提升系统功率密度。同时,片上CPU提供的实时电流监测与温度补偿功能,能有效增强逆变器在极端工况下...

拓扑与电路 双向DC-DC LLC谐振 储能变流器PCS ★ 5.0

高压应用下CLLC谐振变换器同步整流体二极管导通的精确提取

Accurate Extraction of Body-Diode-Conduction for Synchronous Rectification of CLLC Resonant Converters in High-Voltage Application

Long Pei · Lixin Jia · Laili Wang · Lie Zhao 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月

针对高压输出应用(HOVA)中CLLC变换器因传感精度和高dv/dt导致主流自适应漏源电压检测同步整流(ADVS-SR)难以应用的问题,本文提出了一种新型体二极管导通(BDC)提取电路,通过精确的漏源电压检测电路和定制的谷底导通控制,有效提升了变换效率与可靠性。

解读: 该技术对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack)及高压光伏逆变器业务具有重要价值。CLLC双向DC-DC拓扑是目前大功率储能变流器(PCS)的核心架构,在高压直流母线应用中,同步整流的效率直接决定了整机效率。该研究提出的高精度BDC提取方案,能够有效解决高压工况下开关管损耗...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 4.0

用于15 kV SiC MOSFET功率模块电场缓解的高介电常数与高介电强度聚合物涂层

High Dielectric Constant and High Dielectric Strength Polymer Coating for Electric Field Mitigation in 15 kV SiC MOSFET Power Modules

Tianshu Yuan · Jia Lixin · Yuan Xi · Dingkun Ma 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月

中压SiC功率器件在电网及高压脉冲电源领域应用前景广阔。然而,功率模块在高功率密度与高绝缘电压之间的矛盾亟待解决。本文提出了一种新型聚合物涂层技术,通过提升介电常数与介电强度,有效缓解了15 kV SiC MOSFET功率模块内部的电场集中问题,为提升高压功率模块的绝缘性能提供了新方案。

解读: 该研究针对15kV高压SiC器件的绝缘优化,对阳光电源的未来业务具有重要参考价值。随着光伏与储能系统向更高电压等级(如1500V及以上)演进,功率模块的绝缘设计是提升功率密度的关键。该涂层技术可直接应用于阳光电源的集中式逆变器及PowerTitan系列大功率储能变流器(PCS)的功率模块封装工艺中,...

拓扑与电路 LLC谐振 DC-DC变换器 功率模块 ★ 5.0

基于阶跃加前馈控制的LLC变换器同步整流导通优化增强方案

An Enhanced Adaptive Synchronous Rectification With Turn-ON Optimization for LLC Converters Based on Stepwise-Plus-Feedforward Control

Long Pei · Lixin Jia · Laili Wang · Lie Zhao 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年11月

同步整流(SR)是LLC谐振变换器实现高效率设计的关键。主流的自适应直接电压检测法(ADVS-SR)受变压器寄生电容及SR开关输出电容影响,易出现误导通。本文提出一种基于阶跃加前馈控制的增强型自适应同步整流方案,通过优化导通时序,有效提升了LLC变换器在宽负载范围下的效率与可靠性。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。LLC拓扑广泛应用于阳光电源的户用光伏逆变器(如iHome系列)、储能变流器(PCS,如ST系列及PowerStack)以及电动汽车充电桩的DC-DC级。通过采用该增强型同步整流控制策略,可以显著降低LLC变换器在轻载及重载工况下的开关损耗,提升整机效率,并...

拓扑与电路 DAB 双向DC-DC 储能变流器PCS ★ 5.0

最小化电感峰峰值电流的最优非对称占空比调制

Optimal Asymmetric Duty Modulation to Minimize Inductor Peak-to-Peak Current for Dual Active Bridge DC–DC Converter

Di Mou · Quanming Luo · Zhiqing Wang · Jia Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年4月

非对称占空比调制(ADM)为双有源桥(DAB)DC-DC变换器性能优化提供了新途径。本文提出了一种最优ADM(OADM)方案,旨在全电压和功率范围内最小化电感峰峰值电流。文章通过频域分析及相关数学建模,验证了该方案在提升变换器效率和降低损耗方面的有效性。

解读: DAB变换器是阳光电源储能系统(如PowerTitan、PowerStack系列)及直流耦合光储一体化方案中的核心拓扑。该研究提出的OADM调制策略通过优化电感电流波形,能显著降低变换器的导通损耗和磁性元件损耗,从而提升储能变流器(PCS)在宽电压范围下的整体转换效率。建议研发团队在下一代高功率密度...

功率器件技术 GaN器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

一种具有动态振铃抑制功能的GaN功率HEMT智能栅极驱动IC

A Smart Gate Driver IC for GaN Power HEMTs With Dynamic Ringing Suppression

Wei Jia Zhang · Jingshu Yu · Wen Tao Cui · Yahui Leng 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年12月

传统的GaN功率晶体管栅极驱动方案依赖外部控制器和分立元件,导致系统复杂且寄生参数增加。本文提出一种集成化智能栅极驱动IC,通过分段输出级和动态驱动技术,有效抑制开关过程中的振铃现象,优化GaN器件的高频开关性能,提升功率密度与可靠性。

解读: GaN作为宽禁带半导体,在提升阳光电源户用光伏逆变器及微型逆变器功率密度方面具有巨大潜力。该智能驱动IC通过集成化设计抑制振铃,能有效解决高频开关下的EMI问题,降低对复杂外围电路的依赖。建议研发团队关注该技术在下一代高频、高效率户用逆变器及小型化充电桩中的应用,以进一步缩小产品体积并提升转换效率,...

拓扑与电路 DAB 双向DC-DC 储能变流器PCS ★ 5.0

基于频域分析的混合占空比调制以最小化双有源桥变换器RMS电流并扩展软开关范围

Hybrid Duty Modulation for Dual Active Bridge Converter to Minimize RMS Current and Extend Soft-Switching Range Using the Frequency Domain Analysis

Di Mou · Quanming Luo · Jia Li · Yuqi Wei 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年4月

本文提出了一种面向效率的双有源桥(DAB)变换器混合占空比调制(HDM)方案。该方案通过优化零电压部分的分配,有效降低了电感电流的均方根(RMS)值,并显著扩展了开关管的软开关工作范围,从而提升了变换器的整体转换效率。

解读: DAB拓扑是阳光电源储能变流器(PCS)及直流变换环节的核心技术。该研究提出的混合占空比调制(HDM)方案,能够直接优化PowerTitan、PowerStack系列储能系统的DC-DC级效率,特别是在宽电压范围运行下,通过降低RMS电流损耗和提升软开关性能,可显著提升系统全生命周期能效。建议研发团...

电动汽车驱动 ★ 4.0

2.4 kV Ga₂O₃肖特基势垒二极管在高达500°C高温下的退化特性

Degradation of 2.4-kV Ga₂O₃ Schottky Barrier Diode at High Temperatures Up to 500°C

Hunter Ellis · Wei Jia · Imteaz Rahaman · Apostoli Hillas 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年10月

制备了具有场板(FP)且场板下方带有复合SiO₂/SiNₓ介电层的Ga₂O₃肖特基势垒二极管(SBD),在室温(RT)下实现了2.4 kV的击穿电压(BV)。通过在25 °C至500 °C范围内进行电流 - 电压(I - V)和电容 - 电压(C - V)测量,分析了其电学性能和退化情况,揭示了与温度相关的输运特性、界面稳定性和器件稳定性。当温度回到室温时,二极管的正向特性几乎不变,而击穿电压从2.4 kV显著下降至700 V。这种现象表明温度导致势垒高度降低。详细分析显示,在中等温度下,变程跳...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于2.4kV Ga₂O₃肖特基势垒二极管的高温退化研究具有重要的战略参考价值。作为功率半导体领域的前沿技术,氧化镓器件凭借其超宽禁带特性(约4.8eV)在高压、高温应用场景中展现出超越传统硅基和碳化硅器件的潜力,这与我们光伏逆变器和储能系统对高效率、高功率密度的需求高...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

p-GaN HEMT中关态漏电流形成机制的分析

Analysis of the Formation of the Off-State Leakage Current in p-GaN HEMT

Ya-Huan Lee · Po-Hsun Chen · Yu-Hsuan Yeh · Jui-Tse Hsu 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2024年12月

本研究对 p - 氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的关态漏电流( ${I} _{\text {off}}$ )进行了分析。在漏极偏压较低(约低于 100 V)时,漏电流主要由源电极的穿通漏电流主导,随着偏压升高, ${I} _{\text {off}}$ 增大。然而,当漏极偏压处于中等水平(达到 400 V)时,由于栅极电子注入,穿通漏电流会减小。电子会注入到 GaN 缓冲层,间接导致 ${I} _{\text {off}}$ 减小。最后,当漏极偏压较高(达到 700 V)时,主要...

解读: 从阳光电源光伏逆变器和储能系统的核心应用场景来看,这项关于p-GaN HEMT器件关断态漏电流机理的研究具有重要的技术参考价值。GaN功率器件凭借其高频、高效、高功率密度的特性,正逐步成为新一代光伏逆变器和储能变流器的关键功率开关元件,直接影响系统的转换效率和可靠性。 该研究揭示了p-GaN HE...

功率器件技术 SiC器件 ★ 4.0

一种4H-SiC 1.7 kV额定嵌入式TMBS UMOSFET

A 4H-SiC 1.7 kV Rated TMBS-Embedded UMOSFET

Jia-Wei Hu · Kuan-Min Kang · Chih-Fang Huang · IEEE Electron Device Letters · 2025年10月

本文提出并验证了一种新型的嵌入沟槽式金属氧化物半导体势垒肖特基(TMBS)二极管的 4H - 碳化硅(4H - SiC)UMOSFET。制备并评估了 TMBS 与 UMOS 比例为 0、1/3 和 1/2 的 MOSFET。一款沟槽深度为 1.5 微米、台面宽度为 1.6 微米的 UMOSFET,其比导通电阻(R<sub>on, sp</sub>)为 5.8 毫欧·平方厘米,击穿电压(BV)为 2040 伏。嵌入 TMBS 单元的器件击穿电压无下降,TMBS 与 UMOS 比例为 1/3 和 1...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项4H-SiC 1.7kV TMBS嵌入式UMOSFET技术具有重要的战略价值。该技术通过在沟槽MOSFET中嵌入肖特基势垒二极管单元,实现了功率器件性能的显著优化,这与我们在光伏逆变器和储能系统中对高效率、高可靠性功率半导体的需求高度契合。 技术核心价值体现在三个方面...

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