找到 3 条结果
基于N端口测量的SiC功率模块寄生参数提取方法
Methodology for Parasitic Elements Extraction of SiC Power Module Based on N-Port Measurement
Gregory Almeida · Sebastien Serpaud · Victor Dos Santos · Bernardo Cougo 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
本文提出了一种基于测量的SiC功率模块换流回路RL寄生参数提取方法。该方法采用闭环/半闭环模型，通过对功率模块外部N个端口进行S参数测量，实现对模块内部寄生参数的精确提取，为SiC模块的高频建模与优化设计提供了有效手段。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统至关重要。随着SiC器件在高性能逆变器和PCS中的广泛应用，高频寄生参数直接影响开关损耗、电压尖峰及EMI性能。通过此方法，研发团队可更精准地进行功率模块建模与PCB布局优化，提升产品功率密度与可靠性。建议在下一代高频...
面向低损耗与低EMI航空应用的集成电容低电感SiC模块特性研究
Characterization of Low-Inductance SiC Module With Integrated Capacitors for Aircraft Applications Requiring Low Losses and Low EMI Issues
Bernardo Cougo · Hans Hoffmann Sathler · Raphael Riva · Victor Dos Santos 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月
未来航空器对电力电子变换器的功率密度和效率要求日益提高。碳化硅（SiC）器件虽能显著降低损耗，但其高开关速度会导致换流过程中的电压过冲与EMI问题。本文研究了一种集成电容的低电感SiC功率模块，旨在优化开关性能，抑制过冲，提升变换器整体效率与电磁兼容性。
解读: 该研究聚焦于SiC功率模块的低电感设计与集成电容技术，这对阳光电源的组串式光伏逆变器和PowerTitan系列储能变流器（PCS）具有重要参考价值。随着阳光电源产品向更高功率密度演进，SiC器件的应用已成为主流。该文提出的降低电压过冲与EMI的方案，可直接优化PCS及逆变器在高频开关下的电磁兼容性能...
基于N端口测量的碳化硅功率模块寄生参数提取方法
Methodology for Parasitic Elements Extraction of SiC Power Module Based on N-Port Measurement
Gregory Almeida · Sebastien Serpaud · Victor Dos Santos · Bernardo Cougo 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年5月
本文提出了一种基于测量的方法，专注于提取碳化硅（SiC）功率模块换流功率回路中的 RL 元件寄生参数。该方法可视为一个封闭/半封闭盒模型，它针对被测功率模块外部可用的给定数量端口（N）进行一组散射参数（S 参数）测量。所提出的方法使我们能够在数小时内构建一个模型，该模型旨在尽可能贴近功率模块的物理特性进行行为表征。测量的不确定性和误差通过基于最小二乘法的优化回归算法进行处理，该算法采用高斯 - 牛顿 - 拉夫逊方法。为了验证目的，本文给出了使用不同样品的碳化硅功率模块的实验结果。
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于N端口测量的SiC功率模块寄生参数提取方法具有重要的工程应用价值。作为全球领先的光伏逆变器和储能系统供应商，阳光电源产品的核心竞争力很大程度上取决于功率模块的性能优化，而精确的寄生参数模型正是实现这一目标的关键基础。 该方法的核心价值在于通过S参数测量快速建立功率...